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講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-15 10:35
[奨励講演]Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters
Yoshinobu MatsudaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.LQE2017-86
抄録 (和) InGaNマルチファセット量子井戸構造は,蛍光体フリーな高効率白色合成が期待できることから,近年注目を集めている.しかし,従来構造では,大きな分極誘起電界を持つ(0001)極性面が長波長発光を担い,その発光効率低下が問題であった.本研究では,半極性(-1-12-2}GaN基板上にマルチファセット量子井戸を作製することで,(0001)極性面フリーな構造の実現と,その高効率な多色発光の観察に成功した.さらに,極性面フリーな構造を用いた白色合成も実証した. 
(英) InGaN quantum wells (QWs) grown on three dimensionally (3D) structured GaN are promising for phosphor-free white LEDs. However, previously reported structures have a problem that In-rich InGaN QWs for longer wavelength emission are fabricated on the (0001) polar plane, where the optical transition probability is low due to the strain-induced piezoelectric fields. In this study, we demonstrate that polar-plane-free 3D QWs, which possess highly efficient polychromatic emission properties, can be fabricated on (-1-12-2) semipolar GaN substrates. Furthermore, white color synthesis using the polar-plane-free structure is also demonstrated.
キーワード (和) 三族窒化物半導体 / 有機金属気相成長法 / 三次元構造 / 多色発光 / / / /  
(英) III-nitride semiconductors / metalorganic vapor phase epitaxy / three-dimensional structures / polychromatic emission / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 358, LQE2017-86, pp. 5-8, 2017年12月.
資料番号 LQE2017-86 
発行日 2017-12-07 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2017-86

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2017-12-15 - 2017-12-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2017-12-LQE 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 三族窒化物半導体 / III-nitride semiconductors  
キーワード(2)(和/英) 有機金属気相成長法 / metalorganic vapor phase epitaxy  
キーワード(3)(和/英) 三次元構造 / three-dimensional structures  
キーワード(4)(和/英) 多色発光 / polychromatic emission  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 祥伸 / Yoshinobu Matsuda / マツダ ヨシノブ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-12-15 10:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2017-86 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.358 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数
発行日 2017-12-07 (LQE) 


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