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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-12-18 14:30 摩擦プロセスを活用するカルコゲナイド系2D層状半導体MoS2薄膜の形成 伊藤孝郁・○田邉匡生・松永晃典・小山 裕（東北大）  ED2017-75 |
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| 抄録 | （和） | 半導体デバイスプロセスにおける新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。非線形光学デバイスにも有用である複屈折性を発現する2D層状構造の半導体結晶を１層ずつ簡易に成膜できる可能性がある。本研究では潤滑材として有名である二硫化モリブデン（MoS2）に着目し、MoS2層状構造の形成に適する基板の表面について検討した。 |
| （英） | We propose a novel fabrication process of 2D layered semiconductors by using tribochemical reaction. This study is focused on the formation of chalcogenide 2D layered semiconductor, molybdenum disulfide (MoS2), using tribological chemical reaction of Molybdenum dialkyldithiocarbamates(MoDTC) to MoS2. MoS2 is an expected semiconductor for a field effect transistor(FET) with higher speed and lower electric power. This study investigated surface reaction activity of MoDTC to MoS2 on various stainless steel surfaces. |
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| キーワード | （和） | MoS2 / 2D層状構造 / 2次元材料 / カルコゲナイド / 摩擦成膜 / / / |
| （英） | MoS2 / 2D Layered Structure / 2D Materials / Chalcogenide / Friction Process / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 364, ED2017-75, pp. 13-14, 2017年12月. | |
| 資料番号 | ED2017-75 | |
| 発行日 | 2017-12-11 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-75 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED THz |
| 開催期間 | 2017-12-18 - 2017-12-19 |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-12-ED-THz |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 摩擦プロセスを活用するカルコゲナイド系2D層状半導体MoS2薄膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Tribological formation of chalcogenide 2D layered semiconductor MoS2 thin films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MoS2 / MoS2 |
| キーワード(2)（和/英） | 2D層状構造 / 2D Layered Structure |
| キーワード(3)（和/英） | 2次元材料 / 2D Materials |
| キーワード(4)（和/英） | カルコゲナイド / Chalcogenide |
| キーワード(5)（和/英） | 摩擦成膜 / Friction Process |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 孝郁 / Takafuki Ito / イトウ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田邉 匡生 / Tadao Tanabe / タナベ タダオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松永 晃典 / Akinori Matsunaga / マツナガ アキノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 裕 / Yutaka Oyama / オヤマ ユタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2017-12-18 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-75 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.364 |
| ページ範囲 | pp.13-14 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2017-12-11 (ED) |
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