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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-12-22 14:15 アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス ○田中 遼・杉崎澄生・木村 睦（龍谷大）  EID2017-20 SDM2017-81 |
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| 抄録 | （和） | 我々は脳型集積システムに向けたクロスポイント型シナプスをアモルファス酸化物半導体を用いて作製した。クロスポイント型シナプスは縦横80×80本の電極から構成された薄膜素子で、交差する電極の交点に電圧を印加することによってシナプスとして動作させることができる。今回，FPGAで作製したニューロンと組み合わせてホップフィールド型ニューラルネットワークとして文字補正に成功した。また、クロスポイント型シナプスにバイアス電圧を印加することにより抵抗変化型メモリとしての有用性を見出した。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | ホップフィールドネットワーク / In-Ga-Zn-O / Ga-Sn-O / シナプス / ReRAM / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-81, pp. 45-49, 2017年12月. | |
| 資料番号 | SDM2017-81 | |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2017-20 SDM2017-81 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2017-12-22 - 2017-12-22 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 |
| テーマ（英） | Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cross point synapse using amorphous oxide semiconductor for neurocomputing devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ホップフィールドネットワーク / |
| キーワード(2)（和/英） | In-Ga-Zn-O / |
| キーワード(3)（和/英） | Ga-Sn-O / |
| キーワード(4)（和/英） | シナプス / |
| キーワード(5)（和/英） | ReRAM / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 遼 / Ryo Tanaka / タナカ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉崎 澄生 / Sumio Sugisaki / スギサキ スミオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-22 14:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2017-20, SDM2017-81 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.372(EID), no.373(SDM) |
| ページ範囲 | pp.45-49 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |
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