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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-12-22 13:15 GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大）  EID2017-16 SDM2017-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2017-16 SDM2017-77 |
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| 抄録 | （和） | レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた,薄膜トランジスタ(TFT)と熱電変換素子を作製し評価した.TFTは室温下でRFマグネトロンスパッタ装置を用いてGTO薄膜を成膜し,TFTとして動作させることに成功した. 熱電変換素子はプラスチック基板上に室温下でRFマグネトロンスパッタ装置を用いてGTO薄膜を成膜し熱電特性を評価した. |
| （英） | Thin-film transistors (TFTs) and thermoelectric conversion elements were evaluated by using an amorphous Ga-Sn-O (a-GTO) thin films of rare metal-free oxide semiconductors to be applied to flexible devices. GTO TFTs was fabricated using RF magnetron sputtering at room temperature, and we succeeded in operating as TFTs. The thermoelectric conversion element was also fabricated using RF magnetron sputtering at room temperature on a plastic substrate to evaluate the thermoelectric properties of the GTO film. | |
| キーワード | （和） | RFマグネトロンスパッタ / アモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜 / 酸化物半導体 / フレキシブル / 室温 / / / |
| （英） | RF Magnetron Sputtering / Amorphous Ga-Sn-O(a-GTO) Thin Film / Oxide Semiconductor / Flexible / Room Temperature / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-77, pp. 23-28, 2017年12月. | |
| 資料番号 | SDM2017-77 | |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2017-16 SDM2017-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2017-16 SDM2017-77 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2017-12-22 - 2017-12-22 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 |
| テーマ（英） | Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Flexible Device Applications Using GaSnO Thin Films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | RFマグネトロンスパッタ / RF Magnetron Sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | アモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜 / Amorphous Ga-Sn-O(a-GTO) Thin Film |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide Semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | フレキシブル / Flexible |
| キーワード(5)（和/英） | 室温 / Room Temperature |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 髙木 瞭 / Ryo Takagi / タカギ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku Universituy (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅田 鉄馬 / Kenta Umeda / ウメダ ケンタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学革新的材料・プロセス研究センター (略称： 龍谷大) Innovative Materials and Process Research Center Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ムツノリ ウエヌマ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-22 13:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2017-16, SDM2017-77 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.372(EID), no.373(SDM) |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |
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