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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-01-25 16:10 絶縁ゲートAlGaN/GaN HEMTにおける電流線形性の向上 ○金木奨太・西口賢弥（北大）・尾崎史郎（富士通研）・橋詰 保（北大）  ED2017-95 MW2017-164 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 412, ED2017-95, pp. 11-14, 2018年1月. | |
| 資料番号 | ED2017-95 | |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-95 MW2017-164 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2018-01-25 - 2018-01-26 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下3階研修2号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 絶縁ゲートAlGaN/GaN HEMTにおける電流線形性の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Current Linearity in Inslated Gate AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金木 奨太 / Shota Kaneki / カネキ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西口 賢弥 / Kenya Nishiguchi / ニシグチ ケンヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 史郎 / Siro Ozaki / オザキ シロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-01-25 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-95, MW2017-164 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.412(ED), no.413(MW) |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) |
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