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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-01-26 09:55 UHF－C帯Si-GaN直列接続型超広帯域増幅器 ○桑田英悟・川崎健吾・津波大介・前田和弘・山中宏治（三菱電機）  ED2017-98 MW2017-167 |
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| 抄録 | （和） | マイクロ波システムの高出力化，広帯域化の要求にこたえるため，マイクロ波増幅器へのＧａＮ適用が進められている．更に近年では，GaN増幅器の一般化が進められてきた結果，更なる小型，低コスト化の要求がある． 当社の低コスト化に対する取り組みとしては，Si基板上にGaN HEMTや高周波回路を構成したGaN on Si MMIC増幅器や，その出力基板のみをGaAsなどで構成したスーパーMMICがある．本稿では，更にもう一段進んだ取り組みとしてSi RFICの高出力化を狙った増幅器の検討を行った．更に検討の結果としてSiGe HBTとGaN HEMTを直列接続した，低コストと高出力を両立する構成を提案する．試作した増幅器は0.5～4.5GHzで動作し，出力電力は34 - 36.2 dBm，PAEは23.5 - 57 %となった． |
| （英） | This paper reports on a multi chips amplifier consists of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) and Si RFIC high power amplifier (HPA), which features series connected SiGe HBT and GaN HEMT. SiGe HBT of the amplifier drive GaN HEMT without interstage matching network, hence series connected SiGe HBT and GaN HEMT configuration promise small amplifier size. The fabricated Si chip dimensions are 1.3mm by 1.3 mm and GaN chip dimensions are 1mm by 1 mm. Measured small signal gain exceeds 20 dB and the output power reaches 34 - 36.2 dBm with PAE of 23.5 - 57% from 0.5 GHz to 4.5 GHz at 25 V power supply voltage. | |
| キーワード | （和） | GaN / SiGe / HBT / HEMT / MMIC / 増幅器 / 広帯域 / |
| （英） | GaN / SiGe / HBT / HEMT / MMIC / 増幅器 / 広帯域 / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 413, MW2017-167, pp. 25-29, 2018年1月. | |
| 資料番号 | MW2017-167 | |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-98 MW2017-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2018-01-25 - 2018-01-26 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下3階研修2号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2018-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | UHF－C帯Si-GaN直列接続型超広帯域増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | UHF-C Band Broadband Power Amplifier with Series Connected SiGe HBT and GaN HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(6)（和/英） | 増幅器 / 増幅器 |
| キーワード(7)（和/英） | 広帯域 / 広帯域 |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata / クワタ エイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 健吾 / Kengo Kawasaki / カワサキ ケンゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津波 大介 / Daisuke Tsunami / ツナミ ダイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 和弘 / Kazuhiro Maeda / マエダ カズヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-01-26 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2017-98, MW2017-167 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.412(ED), no.413(MW) |
| ページ範囲 | pp.25-29 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-01-18 (ED, MW) |
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