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講演抄録/キーワード
講演名 2018-02-08 10:05
[招待講演]クラスター気相合成法で形成したWSin (n=12)挿入膜を用いたCu直接コンタクト
岡田直也内田紀行小川真一遠藤和彦金山敏彦産総研SDM2017-97 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-97
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 117, no. 429, SDM2017-97, pp. 1-4, 2018年2月.
資料番号 SDM2017-97 
発行日 2018-02-01 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-97 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-97

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-02-08 - 2018-02-08 
開催地(和) 東京大学/本郷 
開催地(英) Tokyo Univ. 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) クラスター気相合成法で形成したWSin (n=12)挿入膜を用いたCu直接コンタクト 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Cluster-Preforming-Deposited Amorphous WSin (n = 12) Insertion Film of Low SBH and High Diffusion Barrier for Direct Cu Contact 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 直也 / Naoya Okada / オカダ ナオヤ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 紀行 / Noriyuki Uchida / ウチダ ノリユキ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 真一 / Shinichi Ogawa / オガワ シンイチ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo / エンドウ カズヒコ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 金山 敏彦 / Toshihiko Kanayama / カナヤマ トシヒコ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-02-08 10:05:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2017-97 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.429 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2018-02-01 (SDM) 


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