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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-03-08 16:15 垂直磁気トンネル接合に用いるCo2FeSi/D022-Mn3Ge二層構造 薮下大嗣・松下直輝・飯沼真優・○高村陽太（東工大）・園部義明（サムソン）・中川茂樹（東工大）  EMD2017-77 MR2017-48 SCE2017-48 EID2017-50 ED2017-122 CPM2017-142 SDM2017-122 ICD2017-127 OME2017-71 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, 2018年3月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2017-77 MR2017-48 SCE2017-48 EID2017-50 ED2017-122 CPM2017-142 SDM2017-122 ICD2017-127 OME2017-71 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED EID SDM ICD MRIS QIT SCE |
| 開催期間 | 2018-03-08 - 2018-03-08 |
| 開催地（和） | 東レ総合研修センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 回路デバイス境界技術領域合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2018-03-CPM-ED-EID-SDM-ICD-MRIS-QIT-SCE-OME-EMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 垂直磁気トンネル接合に用いるCo2FeSi/D022-Mn3Ge二層構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Co2FeSi/D022-Mn3Ge bilayers for perpendicular magnetic tunnel junction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 薮下 大嗣 / Taishi Yabushita / ヤブシタ タイシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松下 直輝 / Naoki Matsushita / マツシタ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯沼 真優 / Mayu Iinuma / イイヌマ マユ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高村 陽太 / Yota Takamura / タカムラ ヨウタ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 園部 義明 / Yoshiaki Sonobe / ソノベ ヨシアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | サムスン日本研究所 (略称： サムソン) Samsung R&D Institute Japan (略称： Samsung) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第4著者 |
| 発表日時 | 2018-03-08 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | EMD2017-77, MR2017-48, SCE2017-48, EID2017-50, ED2017-122, CPM2017-142, SDM2017-122, ICD2017-127, OME2017-71 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.492(EMD), no.493(MR), no.494(SCE), no.495(EID), no.496(ED), no.497(CPM), no.498(SDM), no.499(ICD), no.500(OME) |
| ページ範囲 | pp.25-29 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) |
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