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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-04-07 13:50 InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタ 東 龍之介・是友大地・田中宏怜（高知工科大）・髙橋誠一郎・八島 勇（三井金属鉱業）・○古田 守（高知工科大）  SDM2018-7 OME2018-7 |
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| 抄録 | （和） | In–Ga–Zn–O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)は非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移動度を有するが、超高精細や駆動回路内蔵ディスプレイには更なる移動度向上が求められている。IGZO材料系ではIn組成比を増大することで移動度向上が図れることが知られているが、キャリア生成要因となる真性欠陥（酸素欠損）が増大する課題がある。今回我々はIn比率を増大させたIGZO TFTにおいて高移動度化と高信頼性化を両立するため、組成の異なるIGZOを積層したヘテロチャネル構造を提案・検討した。ヘテロチャネル構造を用いることで高い移動度を維持しつつ、バイアスストレス信頼性を大幅に改善可能であることを示す。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | InGaZnOx(IGZO) / 薄膜トランジスタ(TFT) / バイアスストレス信頼性 / ヘテロチャネル / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 1, SDM2018-7, pp. 29-31, 2018年4月. | |
| 資料番号 | SDM2018-7 | |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-7 OME2018-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2018-04-06 - 2018-04-07 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin-film transistor with InGaZnOx-hetero-channel |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnOx(IGZO) / |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ(TFT) / |
| キーワード(3)（和/英） | バイアスストレス信頼性 / |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロチャネル / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 龍之介 / Ryunosuke Higashi / ヒガシ リュウノスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 是友 大地 / Daichi Koretomo / コレトモ ダイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 宏怜 / Hirosato Tanaka / タナカ ヒロサト |
| 第3著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 髙橋 誠一郎 / Seiichiro Takahashi / タカハシ セイイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三井金属鉱業株式会社 (略称： 三井金属鉱業) Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. (略称： Mitsui Mining & Smelting Co.,LTD) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八島 勇 / Isamu Yashima / ヤシマ イサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 三井金属鉱業株式会社 (略称： 三井金属鉱業) Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. (略称： Mitsui Mining & Smelting Co.,LTD) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 守 / Mamoru Furuta / フルタ マモル |
| 第6著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 講演者 | 第6著者 |
| 発表日時 | 2018-04-07 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-7, OME2018-7 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.29-31 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) |
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