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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-04-07 11:20 ［招待講演］Ⅳ族系薄膜トランジスタの高性能化・高機能化 ○原 明人・内海大樹・西口尚希・宮崎 僚（東北学院大）  SDM2018-5 OME2018-5 |
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| 抄録 | （和） | 銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化（MIC）を用いて自己整合平面型ダブルゲート(DG) 構造および自己整合平面型４端子(4T)構造を有する多結晶ゲルマニウム(poly-Ge)および多結晶ゲルマニウムスズ(poly-Ge1-xSnx) 薄膜トランジスタ(TFT)を形成した. さらに, 塗布プラスチック上にトップゲート(TG) Cu-MIC poly-Ge TFTを実現した. これらのTFTは, アルミニウム(Al)元素置換横方向金属化SD (Al-LM-SD)により, SD領域を金属化して寄生抵抗を低減している. 本報告では, これらのTFTの性能について紹介する. また, 4T多結晶シリコン(poly-Si) TFTを利用したCMOSインバータについても簡単に紹介する. |
| （英） | We have fabricated self-aligned planar double-gate (DG) or self-aligned planar four-terminal (4T) polycrystalline germanium (poly-Ge) and polycrystalline germanium-tin (poly-Ge1-xSnx) thin-film transistors (TFTs) via copper metal-induced crystallization (Cu-MIC). Furthermore, we have fabricated top-gate poly-Ge TFTs via Cu-MIC on spin-coated plastic films. In these TFTs, the parasitic resistance of the source drains (SD) was reduced via aluminum-induced lateral metallization of the SD. In this article, we report the performance of these TFTs. In addition, we briefly comment on the performance of 4T polycrystalline silicon TFTs and complementary metal-oxide-semiconductor inverters. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / ゲルマニウムスズ / シリコン / 薄膜トランジスタ / プラスチック / フレキシブル / / |
| （英） | Ge / Ge1-xSnx / Si / TFT / Plastic / Flexible / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 1, SDM2018-5, pp. 19-24, 2018年4月. | |
| 資料番号 | SDM2018-5 | |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-5 OME2018-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2018-04-06 - 2018-04-07 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ⅳ族系薄膜トランジスタの高性能化・高機能化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Performance and Functional Group-Ⅳ Thin-Film Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウムスズ / Ge1-xSnx |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / Si |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(5)（和/英） | プラスチック / Plastic |
| キーワード(6)（和/英） | フレキシブル / Flexible |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内海 大樹 / Hiroki Utsumi / ウツミ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西口 尚希 / Naoki Nishiguchi / ニシグチ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 僚 / Ryo Miyazaki / ミヤザキ リョウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-04-07 11:20:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-5, OME2018-5 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-03-30 (SDM, OME) |
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