講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-04-19 15:00
ナノチャネルTiO2を用いた薄膜トランジスタと光センサへの応用 ○鹿又健作・菊地 航・吉田一樹・三浦正範・有馬ボシールアハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦(山形大) ED2018-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-4 |
抄録 |
(和) |
近年、酸化物半導体を用いた各種センサの研究が進められている。TiO2は透明性を持ったn型の酸化物半導体であり、光触媒活性や官能基修飾による分子吸着の制御、生体親和性のある安定物質であるという特性から、紫外光センサやガスセンサ、バイオセンサへの応用が検討されている。前回の報告において我々は、室温原子層堆積法を用いてTiO2を成膜し、アニール処理によってアナターゼ相のTiO2薄膜を形成した。これを薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, TFT)のチャネル層に適用し、TFTの動作を確認した。電界効果移動度として2.0×10-3 cm2/Vs、閾値電圧は7.3Vが得られた。また、紫外光照射時に顕著な出力電流の増加が見られた。本研究では、TFTの紫外光照射時における出力電流特性を大気中、真空中、N2雰囲気中で測定し、TiO2表面に吸着する酸素がチャネル層の導電率変調に関係する結果が得られた。研究会ではTiO2表面に吸着した酸素が導電率に与える影響について議論する。 |
(英) |
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キーワード |
(和) |
室温原子層堆積法 / 薄膜トランジスタ / TiO2 / 光センサ / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 9, ED2018-4, pp. 13-16, 2018年4月. |
資料番号 |
ED2018-4 |
発行日 |
2018-04-12 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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