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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-04-20 11:10 ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology ○Hiroshi Maejima・Kazushige Kanda・Susumu Fujimura・Teruo Takagiwa・Susumu Ozawa・Jumpei Sato・Yoshihiko Shindo・Manabu Sato・Naoaki Kanagawa・Junji Musha・Satoshi Inoue・Katsuaki Sakurai・Toshifumi Hashimoto（TMC）・Hao Nguyen・Ken Cheah・Hiroshi Sugawara・Seungpil Lee（WDC）・Toshiki Hisada・Tetsuya Kaneko・Hiroshi Nakamura（TMC）  ICD2018-10 |
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| 抄録 | （和） | 96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善の為に3つの特徴的な技術を採用した。即ち、(1)ストリングベースの書き込み開始電圧制御技術により書き込み時間を7%短縮し、(2)トラッキング時間の短縮とプログラムサスペンド機能に対応したsmart Vtトラッキングリードを実装することで、リトライリード性能を向上させ、(3)センスアンプバスの充電レベル低減方式により、センスアンプとキャッシュデータラッチ間のデータ転送時間と消費電力の双方を半減できた。 |
| （英） | A 512Gb 3b/cell flash has been developed on a 96-WL-layer BiCS FLASH technology. This work implements three key technologies to improve performance: (1) a string based start bias control scheme achieves a 7% shorter program time; (2) a smart Vt-tracking read improves read retry performance by minimizing the tracking time and supporting a program suspend read function, and; (3) a low-pre-charge sense-amplifier bus scheme reduces both the power consumption and the data-transfer time between the sense amplifier and the data cache by half. | |
| キーワード | （和） | 3Dフラッシュメモリ / BiCS / 96ワードライン層 / NANDフラッシュメモリ / 不揮発性メモリ / / / |
| （英） | 3D-flash memory / BiCS / 96-word-line-layer / NAND flash memory / Non-volatile memory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 10, ICD2018-10, pp. 39-44, 2018年4月. | |
| 資料番号 | ICD2018-10 | |
| 発行日 | 2018-04-12 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2018-10 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2018-04-19 - 2018-04-20 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（深層学習、ニューロモルフィック、セキュリティ）および一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2018-04-ICD |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3Dフラッシュメモリ / 3D-flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | BiCS / BiCS |
| キーワード(3)（和/英） | 96ワードライン層 / 96-word-line-layer |
| キーワード(4)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(5)（和/英） | 不揮発性メモリ / Non-volatile memory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前嶋 洋 / Hiroshi Maejima / マエジマ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神田 和重 / Kazushige Kanda / カンダ カズシゲ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤村 進 / Susumu Fujimura / フジムラ ススム |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高際 輝男 / Teruo Takagiwa / タカギワ テルオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小澤 進 / Susumu Ozawa / オザワ ススム |
| 第5著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 順平 / Jumpei Sato / サトウ ジュンペイ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 進藤 佳彦 / Yoshihiko Shindo / シンドウ ヨシヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 学 / Manabu Sato / サトウ マナブ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金川 直晃 / Naoaki Kanagawa / カナガワ ナオアキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武者 淳二 / Junji Musha / ムシャ ジュンジ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 諭 / Satoshi Inoue / イノウエ サトシ |
| 第11著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 櫻井 克彰 / Katsuaki Sakurai / サクライ カツアキ |
| 第12著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 寿文 / Toshifumi Hashimoto / ハシモト トシフミ |
| 第13著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | Hao Nguyen / Hao Nguyen / Hao Nguyen |
| 第14著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ken Cheah / Ken Cheah / Ken Cheah |
| 第15著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅原 寛 / Hiroshi Sugawara / スガワラ ヒロシ |
| 第16著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | Seungpil Lee / Seungpil Lee / Seungpil Lee |
| 第17著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久田 俊記 / Toshiki Hisada / ヒサダ トシキ |
| 第18著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 哲也 / Tetsuya Kaneko / カネコ テツヤ |
| 第19著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 寛 / Hiroshi Nakamura / ナカムラ ヒロシ |
| 第20著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-04-20 11:10:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2018-10 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.10 |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-04-12 (ICD) |
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