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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-05-24 16:15 トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減 ○八子基樹（東大）・石川靖彦（豊橋技科大）・和田一実（マサチューセッツ工科大）  ED2018-20 CPM2018-7 SDM2018-15 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 60, SDM2018-15, pp. 29-32, 2018年5月. | |
| 資料番号 | SDM2018-15 | |
| 発行日 | 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-20 CPM2018-7 SDM2018-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2018-05-24 - 2018-05-24 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大VBL |
| 開催地（英） | Toyohashi Univ. of Tech. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | Crystal growth, characterization, and devices (compound semiconductors, Si, SiGe, opto-electrical materials), and others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of threading dislocation density in Ge layers on Si by introducing tunnel-shaped voids |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八子 基樹 / Motoki Yako / ヤコ モトキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田 一実 / Kazumi Wada / |
| 第3著者 所属（和/英） | マサチューセッツ工科大学 (略称： マサチューセッツ工科大) Massachusetts Institute of Technology (略称： Massachusetts Inst. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-05-24 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2018-20, CPM2018-7, SDM2018-15 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) |
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