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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-05-24 15:50 FZ-Siウエハにおける水素ドナーのアニール温度依存性 ○清井 明・中村勝光（三菱電機）  ED2018-19 CPM2018-6 SDM2018-14 |
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| 抄録 | （和） | 水素ドナー（HD）の発生機構を明らかにするために，HDおよび格子間Si対の発生，消滅挙動のアニール温度依存性を調べた。水素イオンを注入したn型FZ-Siウエハを，575℃までの温度範囲でアニールし，広がり抵抗とフォトルミネセンス（PL）を測定した。HDはアニール温度が275℃で発生し，アニール温度によって存在する領域が拡張するものの，575℃で消滅した。HD濃度のアニール温度依存性から，350℃，450℃，525℃で，濃度が最大となる3種のHDの存在が明らかになった。PL測定では，格子間Si対由来のWセンタとXセンタが検出された。また，375℃から550℃では，数10meVのイオン化エネルギーを有する複数のPL発光が検出された。Wセンタ，Xセンタの濃度はそれぞれ350℃，450℃で最大となった。HDと格子間Si対のアニール温度依存性が類似することから，格子Si対がHDのコア欠陥であると考えた。 |
| （英） | Temperature dependence of Hydrogen-related Donor (HD) and silicon self-interstitials has been investigated in order to clarify the generation mechanism of HD. n-type FZ-silicon wafer implanted with hydrogen and annealed up to 575℃, was measured with spreading resistance profiling and photoluminescence. The area where HD exist have appeared at the temperature from 275 ℃ to 575 ℃ and expanded according to increasing the annealing temperature. The annealing temperature dependence of HD concentration have indicated that three type of HD which have each maximum concentration at the temperature of 350℃, 450℃, 525℃ respectively. From the PL measurement, Luminescence lines originated from silicon self-interstitials (W-line and X-line) has been observed prominently. Luminescence line having the ionization energy around several 10 meV has been also observed at the temperature from 375℃ to 550℃. The intensities of W-line, X-line has reached their maximum at the temperature of 350℃, 450℃ respectively. We have speculated that the similarity of annealing temperature dependence between HD and silicon self-interstitials indicated silicon self-interstitial was the core defect of HD. | |
| キーワード | （和） | シリコン / 水素 / 点欠陥 / ドーピング / パワーデバイス / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 60, SDM2018-14, pp. 23-28, 2018年5月. | |
| 資料番号 | SDM2018-14 | |
| 発行日 | 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-19 CPM2018-6 SDM2018-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2018-05-24 - 2018-05-24 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大VBL |
| 開催地（英） | Toyohashi Univ. of Tech. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | Crystal growth, characterization, and devices (compound semiconductors, Si, SiGe, opto-electrical materials), and others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | FZ-Siウエハにおける水素ドナーのアニール温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature dependence of hydrogen-related donor in FZ-Silicon |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / |
| キーワード(2)（和/英） | 水素 / |
| キーワード(3)（和/英） | 点欠陥 / |
| キーワード(4)（和/英） | ドーピング / |
| キーワード(5)（和/英） | パワーデバイス / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清井 明 / Akira Kiyoi / キヨイ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R&D center (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 勝光 / Katsumi Nakamura / ナカムラ カツミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社パワーデバイス製作所 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation, Power Device Works (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第3著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-05-24 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2018-19, CPM2018-6, SDM2018-14 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-05-17 (ED, CPM, SDM) |
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