| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2018-05-25 13:25
親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較 ○矢田拓夢・内田和希・杉山滉一・Periyanayagam Gandhi Kallarasan・韓 旭・相川政輝・早坂夏樹・下村和彦(上智大) LQE2018-16 |
| 抄録 |
(和) |
我々は,薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し,その基板上にMOVPE法を用いて光デバイスを集積する手法を提案してきた.今回,InP/Si基板に1.5µm帯GaInAsPブロード・ストライプレーザを集積して,電流注入による発振特性をInP基板上の同構造レーザと比較したので,その結果を報告する. |
| (英) |
We have proposed monolithic integration of optical device on hydrophilic bonded InP/Si substrate via MOVPE. We have fabricated 1.5 µm GaInAsP broad and stripe laser diode on InP/Si substrate. In this report, we describe mainly comparison of lasing characteristics between hydrophilic bonded InP/Si substrate and InP substrate. |
| キーワード |
(和) |
InP / Si / 直接貼付 / MOVPE / 集積 / 光デバイス / レーザ / |
| (英) |
InP / Si / direct wafer bonding / MOVPE / integration / optical device / semiconductor laser / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 62, LQE2018-16, pp. 25-28, 2018年5月. |
| 資料番号 |
LQE2018-16 |
| 発行日 |
2018-05-17 (LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
LQE2018-16 |