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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-06-25 14:00 ［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展 ○川原田 洋・大井信敬・畢 特・今西祥一朗・岩瀧雅幸・矢部太一・平岩 篤（早大）  SDM2018-21 |
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| 抄録 | （和） | ダイヤモンドと絶縁膜界面の2次元正孔ガスを利用した電界効果トランジスタを利用して、高耐圧（～2000 V）の電界効果トランジスタを開発した。縦型化、ノーマリオフ化、低オン抵抗化、さらなる高耐圧化、相補型インバータへの適用等について、最近の進展を報告する。 |
| （英） | 2 dimensional hole gas at diamond and insulator interface is used for field effect transistor (FET). High voltage (~2000 V) and high frequency FETs have been developed. The present status of vertical FET, normally-off, low on-resistance and complementary inverter are discussed. | |
| キーワード | （和） | ダイヤモンド / 電界効果トランジスタ / 2次元正孔ガス / 高周波 / 高耐圧 / / / |
| （英） | Diamond / Field Effect Transistor / 2 dimensional hole gas / High frequency / High voltage / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 110, SDM2018-21, pp. 23-28, 2018年6月. | |
| 資料番号 | SDM2018-21 | |
| 発行日 | 2018-06-18 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-06-25 - 2018-06-25 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Progress in Diamond Field Effect Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンド / Diamond |
| キーワード(2)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field Effect Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 2次元正孔ガス / 2 dimensional hole gas |
| キーワード(4)（和/英） | 高周波 / High frequency |
| キーワード(5)（和/英） | 高耐圧 / High voltage |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川原田 洋 / Hiroshi Kawarada / カワラダ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大井 信敬 / Nobutaka Oi / オオイ ノブタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畢 特 / Bi Te / ビ ト |
| 第3著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今西 祥一朗 / Shoichiro Imanishi / イマニシ ショウイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩瀧 雅幸 / Masayuki Iwatakaki / イワタキ マサユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢部 太一 / Taichi Yabe / ヤベ タイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平岩 篤 / Atsushi Hiraiwa / ヒライワ アツシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-06-25 14:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-21 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.110 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-06-18 (SDM) |
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