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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-06-25 16:35 X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 藤村信幸・○大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）  SDM2018-26 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-26 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 110, SDM2018-26, pp. 47-51, 2018年6月. | |
| 資料番号 | SDM2018-26 | |
| 発行日 | 2018-06-18 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-26 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-26 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-06-25 - 2018-06-25 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | XPS Study of Silicate Formation and Electrical Dipole at Y2O3/SiO2 Interfaces |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤村 信幸 / Nobuyuki Fujimura / フジムラ ノブユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2018-06-25 16:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-26 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.110 |
| ページ範囲 | pp.47-51 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-06-18 (SDM) |
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