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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-07-13 10:40 ［招待講演］SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望 ○竹中 充・高木信一（東大）  LQE2018-31 |
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| 抄録 | （和） | 我々はシリコン導波路上に化合物半導体薄膜をゲート絶縁膜を介して貼り合わせたハイブリッドMOS構造を提唱し，その光変調器応用の研究を進めている．ゲート電圧印加により化合物半導体MOS界面に電子蓄積させることで，化合物半導体中の電子誘起屈折率変化を有効に活用することができる．この結果，高効率・低損失光位相変調が可能となった．位相変調効率は0.05 Vcmとなり，既存の空乏型シリコン光変調器と比較して10倍以上効率が改善した．一方，位相変調時の光損失は約1/10となることから，光変調振幅も大幅に改善可能される．本講演では，ハイブリッドMOS型光変調器の詳細を報告するとともに， 100 Gbps超の光変調器応用に関する展望を述べる． |
| （英） | We have proposed a Si hybrid MOS structure where a thin III-V semiconductor membrane is bonded on a Si waveguide with a gate dielectric for optical modulators. Electron accumulation at the III-V MOS interface induced by an application of a gate voltage enables us to use the electron-induced refractive index change in the III-V semiconductor. As a result, we have successfully achieved efficient low-loss optical phase modulation. The phase modulation efficiency is 0.05 Vcm, which is approximately 10 times better than that of a depletion-based Si optical modulator. Moreover, The optical loss accompanying with phase modulation is 10 times smaller than that of a Si optical modulator, improving optical modulation amplitude significantly. We discuss the potential of a Si hybrid MOS optical modulator beyond 100 Gbps application. | |
| キーワード | （和） | シリコンフォトニクス / 光変調器 / 化合物半導体 / 基板貼り合わせ / / / / |
| （英） | Si photonics / Optical Modulator / III-V Semiconductor / Wafer Bonding / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 129, LQE2018-31, pp. 43-46, 2018年7月. | |
| 資料番号 | LQE2018-31 | |
| 発行日 | 2018-07-05 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2018-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2018-07-12 - 2018-07-13 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 受光素子，変調器，レーザ応用，センシング応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2018-07-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Perspective of optical modulator using Si hybrid MOS phase shifter |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si photonics |
| キーワード(2)（和/英） | 光変調器 / Optical Modulator |
| キーワード(3)（和/英） | 化合物半導体 / III-V Semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | 基板貼り合わせ / Wafer Bonding |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-07-13 10:40:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2018-31 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.129 |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-07-05 (LQE) |
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