| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2018-07-13 10:00
[招待講演]高性能Si/SiGe変調器と光集積回路への応用 ○藤方潤一・野口将高・高橋重樹・蔵田和彦(光電子融合基盤技研)・竹中 充(東大)・中村隆宏(光電子融合基盤技研) LQE2018-30 |
| 抄録 |
(和) |
高効率で広帯域化が可能なMOS (metal-oxide-semiconductor)型Si光変調器,歪SiGe光変調器を検討した.さらに,これらを用いたSiフォトニクス送信器を作製し,20~85℃での 25Gbps エラ―フリー動作を実証した. |
| (英) |
Si optical modulators for MOS (metal-oxide-semiconductor)-junction-type and pn-junction-type with strained p-type SiGe were studied. A Si-photonics optical transmitter using the Si optical modulators was fabricated and error free operation at 25 Gbps over 20-85 degree Celsius was demonstrated. |
| キーワード |
(和) |
シリコン光変調器 / MOS接合 / 歪SiGe / 量子ドットレーザ / 光IOコア / / / |
| (英) |
Si optical modulator / MOS junction / strained SiGe / quantum dot laser / optical I/O core / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 129, LQE2018-30, pp. 39-42, 2018年7月. |
| 資料番号 |
LQE2018-30 |
| 発行日 |
2018-07-05 (LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
LQE2018-30 |