講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-08-08 09:00
[招待講演]酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向 ~ 不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用 ~ ○島 久・高橋 慎・内藤泰久・秋永広幸(産総研) SDM2018-36 ICD2018-23 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-36 ICD2018-23 |
抄録 |
(和) |
(まだ登録されていません) |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
/ / / / / / / |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 172, SDM2018-36, pp. 59-64, 2018年8月. |
資料番号 |
SDM2018-36 |
発行日 |
2018-07-31 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2018-36 ICD2018-23 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-36 ICD2018-23 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM ICD ITE-IST |
開催期間 |
2018-08-07 - 2018-08-09 |
開催地(和) |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
開催地(英) |
Hokkaido Univ., Graduate School of IST M Bldg., M151 |
テーマ(和) |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2018-08-SDM-ICD-IST |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向 |
サブタイトル(和) |
不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用 |
タイトル(英) |
Research Progress on Resistance Change Device Based on Oxide Materials |
サブタイトル(英) |
Application for Non-volatile Memory and Neuromorphic Device |
キーワード(1)(和/英) |
/ |
キーワード(2)(和/英) |
/ |
キーワード(3)(和/英) |
/ |
キーワード(4)(和/英) |
/ |
キーワード(5)(和/英) |
/ |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
島 久 / Hisashi Shima / シマ ヒサシ |
第1著者 所属(和/英) |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高橋 慎 / Makoto Takahashi / タカハシ マコト |
第2著者 所属(和/英) |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
内藤 泰久 / Yasuhisa Naitoh / ナイトウ ヤスヒサ |
第3著者 所属(和/英) |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
秋永 広幸 / Hiroyuki Akinaga / アキナガ ヒロユキ |
第4著者 所属(和/英) |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2018-08-08 09:00:00 |
発表時間 |
45分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2018-36, ICD2018-23 |
巻番号(vol) |
vol.118 |
号番号(no) |
no.172(SDM), no.173(ICD) |
ページ範囲 |
pp.59-64 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2018-07-31 (SDM, ICD) |
|