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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-10-17 16:05 Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 ○工藤聡也・堀内勇介・大見俊一郎（東工大）  SDM2018-55 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-55 |
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| 抄録 | （和） | 我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS型ダイオードを形成することにより、メモリ特性が改善することを報告した。Hf系MONOS構造を用いたトランジスタを実現するためには、ソース/ドレイン領域のコンタクトホール形成プロセスを高精度に制御する必要がある。今回、Hf系MONOS型トランジスタに平坦化プロセスを導入するために、作製プロセスについて検討した。表面平坦化を行ったSi(100)基板上にHfO2/HfN1.0/HfO2/p-Si(100)構造を作製し、Arスパッタによるエッチングを用いてXPSにより膜厚方向の組成分析を行った。Si(100)表面原子レベル平坦化により、絶縁膜のエッチングレートが減少していることが分かった。 |
| （英） | We have reported nonvolatile memory characteristics of Hf-based MONOS diodes were improved by using atomically flat Si(100) surface process. To realize the transistors with Hf-based MONOS gate stack structure, precise etching control of contact hole at source/drain region is necessary. In this report, fabrication process of Hf-based MONOS transistors with surface atomically flattening process was investigated. The depth profile of HfO2/HfN1.0/HfO2 (ONO) structure on atomically flat Si(100) surface was observed by XPS with Ar sputtering. It was found that etching rates of ONO insulator films were decreased by surface atomically flattening process. | |
| キーワード | （和） | Si / 原子レベル平坦化プロセス / Ar/H2 / Hf / MONOS型不揮発性メモリ / / / |
| （英） | Si / atomically flattening process / Ar/H2 / Hf / MONOS type nonvolatile memory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 241, SDM2018-55, pp. 15-19, 2018年10月. | |
| 資料番号 | SDM2018-55 | |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-55 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-10-17 - 2018-10-18 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication process of Hf-based MONOS nonvolatile memory with Si(100) surface flattening process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 原子レベル平坦化プロセス / atomically flattening process |
| キーワード(3)（和/英） | Ar/H2 / Ar/H2 |
| キーワード(4)（和/英） | Hf / Hf |
| キーワード(5)（和/英） | MONOS型不揮発性メモリ / MONOS type nonvolatile memory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 聡也 / Sohya Kudoh / クドウ ソウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀内 勇介 / Yusuke Horiuchi / ホリウチ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-10-17 16:05:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-55 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.15-19 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |
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