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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-10-18 13:30 ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価 ○横川 凌（明大）・富田基裕・渡邉孝信（早大）・小椋厚志（明大）  SDM2018-61 |
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| 抄録 | （和） | Siナノワイヤ(SiNW)はバルクSiと比較して電気伝導率を維持しつつ熱伝導率が大幅に低下することから次世代熱電材料として大変注目されている。熱伝導率の低下は低次元化およびナノワイヤを覆う酸化膜によって引き起こされる。ゆえに熱電デバイスへ向けたSiNW作製プロセスの評価は重要となるが、SiNWトランジスタと比べ本格的なプロセス評価報告例は少ない。そこで本研究では非破壊かつ高空間分解能を有し、フォノンエネルギーを直接観測することができるラマン分光法を活用し、熱電デバイス用Siナノワイヤのプロセス評価を行い、熱伝導特性を定量的に測定し最適化を試みた。 |
| （英） | Silicon nanowire (SiNW) is expected to be a new attractive thermoelectric material with excellent performance with low thermal conductivity. It has been reported that thermal conductivity is decreased by miniaturization and disorder strain induced at the SiO2/SiNW interface. Therefore, it is important to reveal mechanism of decrease in thermal conductivity at SiO2/SiNW interface experimentally, and SiNW process optimization including thermal oxidation is needed. However, evaluation of thermal conductivity characteristics focused on the SiO2/SiNW interface properties has not been investigated in detail. In this study, we evaluated thermal conductivity properties fabricated by different processes using Raman spectroscopy to optimize thermoelectric Si device process. | |
| キーワード | （和） | 熱電発電デバイス / Siナノワイヤ / ラマン分光法 / / / / / |
| （英） | Thermoelectric device / Si nanowire / Raman spectroscopy / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 241, SDM2018-61, pp. 47-50, 2018年10月. | |
| 資料番号 | SDM2018-61 | |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-10-17 - 2018-10-18 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Process Evaluation of Si Nanowire for Thermoelectric Device by Raman Spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱電発電デバイス / Thermoelectric device |
| キーワード(2)（和/英） | Siナノワイヤ / Si nanowire |
| キーワード(3)（和/英） | ラマン分光法 / Raman spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横川 凌 / Ryo Yokogawa / ヨコガワ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji university (略称： Meiji Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富田 基裕 / Motohiro Tomita / トミタ モトヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 孝信 / Takanobu Watanabe / ワタナベ タカノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji university (略称： Meiji Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-10-18 13:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-61 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |
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