| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-10-18 13:00 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討 ○前田康貴・朴 鏡恩・小松勇貴・大見俊一郎（東工大）  SDM2018-60 |
|
| 抄録 | （和） | これまで我々は、窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセンデバイスの特性向上に関する検討を行い、デバイス特性の向上に窒素添加LaB6界面制御層が有効であることを明らかにしてきた。この窒素添加LaB6界面制御層のペンタセン薄膜形成に対する効果について、物理的なメカニズムを明らかにする必要がある。そこで今回、ペンタセン/SiO2ゲート絶縁膜界面の化学結合状態をXPSにより解析した。その結果、ペンタセンを100oCで堆積した場合、窒素添加LaB6界面制御層により、ペンタセンに由来するC1sのピークが高エネルギー側にケミカルシフトすることが分かった。窒素添加LaB6界面制御層により、熱平衡状態における界面でのバンドダイアグラムが変化し、ペンタセンOFETのデバイス特性の改善に寄与していると考えられる。 |
| （英） | We have reported that the effect of nitrogen-doped LaB6 interfacial layer on the improvement of pentacene-based device characteristics. However, the mechanism of the improvement by nitrogen-doped LaB6 interfacial layer has not been cleared. In this study, precise analysis of pentacene/SiO2 interface property was performed by X-ray photoelectron spectroscopy. It was found that C1s peak of pentacene was chemically shifted toward higher binding energy by introducing nitrogen-doped LaB6 interfacial layer in case the penatcene was deposited at 100oC. It was speculated that the band diagram of pentacene/SiO2 interface at thermal equilibrium state was changed by the nitrogen-doped LaB6 interfacial layer, and it contributed to pentacene-based OFET characteristics. | |
| キーワード | （和） | ペンタセン / 窒素添加LaB6 / 界面制御 / XPS / / / / |
| （英） | pentacene / nitrogen-doped LaB6 / interface control / XPS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 241, SDM2018-60, pp. 41-45, 2018年10月. | |
| 資料番号 | SDM2018-60 | |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-60 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-10-17 - 2018-10-18 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Pentacene/SiO2 Interface Properties by the N-doped LaB6 Interfacial Layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | 窒素添加LaB6 / nitrogen-doped LaB6 |
| キーワード(3)（和/英） | 界面制御 / interface control |
| キーワード(4)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 康貴 / Yasutaka Maeda / マエダ ヤスタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朴 鏡恩 / Kyung Eun Park / パク キョンウン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松 勇貴 / Yuki Komatsu / コマツ ユウキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-10-18 13:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-60 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.41-45 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]