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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-10-18 10:20 Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering ○Min Gee Kim・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.）  SDM2018-58 |
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| 抄録 | （和） | In this study, we investigated thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 directly deposited on p-Si(100). By post-deposition annealing at 600 oC/30 s in N2, the clockwise hysteresis was obtained in C-V characteristics for the film thicker than 15 nm with Al gate electrode. However, it was not obtained for the HfO2 thinner than 10 nm. On the other hand, the ferroelectricity was obtained even for 10-nm-thick HfO2 by post-metallization annealing with TiN capping layer. The memory window of 0.5 V was obtained by sweep range from -3 to 3 V. Therefore, adequate gate stack structure with annealing process would realize the thin ferroelectric HfO2 on Si(100) even for the undoped HfO2. |
| （英） | In this study, we investigated thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 directly deposited on p-Si(100). By post-deposition annealing at 600 oC/30 s in N2, the clockwise hysteresis was obtained in C-V characteristics for the film thicker than 15 nm with Al gate electrode. However, it was not obtained for the HfO2 thinner than 10 nm. On the other hand, the ferroelectricity was obtained even for 10-nm-thick HfO2 by post-metallization annealing with TiN capping layer. The memory window of 0.5 V was obtained by sweep range from -3 to 3 V. Therefore, adequate gate stack structure with annealing process would realize the thin ferroelectric HfO2 on Si(100) even for the undoped HfO2. | |
| キーワード | （和） | ferroelectric HfO2 / post-metallization annealing / RF magnetron sputtering / / / / / |
| （英） | ferroelectric HfO2 / post-metallization annealing / RF magnetron sputtering / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 241, SDM2018-58, pp. 31-34, 2018年10月. | |
| 資料番号 | SDM2018-58 | |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-10-17 - 2018-10-18 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ferroelectric HfO2 / ferroelectric HfO2 |
| キーワード(2)（和/英） | post-metallization annealing / post-metallization annealing |
| キーワード(3)（和/英） | RF magnetron sputtering / RF magnetron sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Min Gee Kim / Min Gee Kim / |
| 第1著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Rengie Mark D. Mailig / Rengie Mark D. Mailig / |
| 第2著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Shun-ichiro Ohmi / Shun-ichiro Ohmi / |
| 第3著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-10-18 10:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-58 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |
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