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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-10-18 10:50 Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process ○Rengie Mark D. Mailig・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.）  SDM2018-59 |
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| 抄録 | （和） | In this paper, the reduction of the Schottky barrier height (SBH) of Pd2Si/Si(100) diodes by the dopant segregation (DS) process was investigated. Furthermore, the effects of the TiN encapsulating layer on the electrical and the physical properties Pd2Si/Si(100) SB diodes were examined. Smooth surface morphology and line edges were obtained for Pd2Si formed with TiN encapsulating layer. Results show that the low SBH to hole (qϕ_Bp) of the Pd2Si/n-Si(100) diodes with DS process was realized at 0.20 eV with ideality factor (n) of 1.11. |
| （英） | In this paper, the reduction of the Schottky barrier height (SBH) of Pd2Si/Si(100) diodes by the dopant segregation (DS) process was investigated. Furthermore, the effects of the TiN encapsulating layer on the electrical and the physical properties Pd2Si/Si(100) SB diodes were examined. Smooth surface morphology and line edges were obtained for Pd2Si formed with TiN encapsulating layer. Results show that the low SBH to hole (qϕ_Bp) of the Pd2Si/n-Si(100) diodes with DS process was realized at 0.20 eV with ideality factor (n) of 1.11. | |
| キーワード | （和） | Palladium Silicide / Dopant Segregation Process / Schottky Barrier Height / TiN Encapsulating Layer / / / / |
| （英） | Palladium Silicide / Dopant Segregation Process / Schottky Barrier Height / TiN Encapsulating Layer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 241, SDM2018-59, pp. 35-40, 2018年10月. | |
| 資料番号 | SDM2018-59 | |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-10-17 - 2018-10-18 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Palladium Silicide / Palladium Silicide |
| キーワード(2)（和/英） | Dopant Segregation Process / Dopant Segregation Process |
| キーワード(3)（和/英） | Schottky Barrier Height / Schottky Barrier Height |
| キーワード(4)（和/英） | TiN Encapsulating Layer / TiN Encapsulating Layer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Rengie Mark D. Mailig / Rengie Mark D. Mailig / |
| 第1著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Min Gee Kim / Min Gee Kim / |
| 第2著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Shun-ichiro Ohmi / Shun-ichiro Ohmi / |
| 第3著者 所属（和/英） | Tokyo Institute of Technology (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-10-18 10:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-59 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-10-10 (SDM) |
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