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講演抄録/キーワード
講演名 2018-11-08 09:20
[招待講演]SISPAD 2018レビュー
園田賢一郎ルネサス エレクトロニクスSDM2018-64
抄録 (和) 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)が2018年9月24日から26日にかけて米国テキサス州オースチンで開催された.本稿では当会議の統計データの動向について分析した後,当会議で報告された論文の中から注目を集めたものについてその内容をレビューする. 
(英) 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) was held on September 24-26, 2018 in Austin, Texas, USA. The selected papers presented at the conference will be reviewed in this report. The trend of statistical data of this conference will also be reported.
キーワード (和) SISPAD2018 / レビュー / 半導体 / デバイス / プロセス / モデリング / シミュレーション /  
(英) SISPAD2018 / review / semiconductor / device / process / modeling / simulation /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 291, SDM2018-64, pp. 1-6, 2018年11月.
資料番号 SDM2018-64 
発行日 2018-11-01 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2018-64

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-11-08 - 2018-11-09 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SISPAD 2018レビュー 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) SISPAD 2018 Review 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SISPAD2018 / SISPAD2018  
キーワード(2)(和/英) レビュー / review  
キーワード(3)(和/英) 半導体 / semiconductor  
キーワード(4)(和/英) デバイス / device  
キーワード(5)(和/英) プロセス / process  
キーワード(6)(和/英) モデリング / modeling  
キーワード(7)(和/英) シミュレーション / simulation  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 園田 賢一郎 / Kenichiro Sonoda / ソノダ ケンイチロウ
第1著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-11-08 09:20:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2018-64 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.291 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2018-11-01 (SDM) 


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