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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-09 09:20 ［招待講演］4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション ○望月和浩・紀 世陽・小杉亮治・米澤喜幸・奥村 元（産総研）  SDM2018-70 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-70 |
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| 抄録 | （和） | 化学的気相堆積（CVD）を用いた4H-SiCスーパージャンクション素子向けトレンチ埋込成長に関するトポグラフィシミュレーションのモデルを提案した。減圧CVDが専ら使用され，バリスティック輸送モデルで記述されるSiトレンチ埋込成長と異なり，ポリタイプを4Hとするため高温成長が必須となる結果，高いSi蒸気圧を抑圧するため亜大気圧CVDが使われるSiCの場合，連続拡散モデルによる記述が必要となる。成長種の気相平衡濃度が表面の曲率に応じて変化するギブス−トムソン効果を取り入れ，表面自由エネルギーの面方位依存性を考慮することにより，実験的に観察されたボイドや窪み等の特徴を再現することが可能となった。 |
| （英） | A topography-simulation model is proposed to simulate chemical-vapor-deposition (CVD) trench filling for 4H-SiC superjunction devices. In contrast to a ballistic transport model used to describe trench-filling growth of Si during low-pressure CVD, a continuum diffusion model is used to describe trench-filling growth of SiC. This is because subatmospheric-pressure CVD is needed to suppress high vapor pressure of Si at high temperature required for 4H polytype. Experimental observations, concerning void and dip formation, are reproduced by including the Gibbs−Thomson effect (i.e., the effect of curvature of a growing surface on equilibrium vapor-phase concentration of growing species) and an orientation dependence of surface free energy. | |
| キーワード | （和） | 化学的気相堆積 / CVD / SiC / スーパージャンクション / トレンチ埋込成長 / トポグラフィシミュレーション / ギブス-トムソン効果 / 表面自由エネルギー |
| （英） | Chemical Vapor Deposition / CVD / SiC / Superjunction / Trench - Filling Growth / Topography Simulation / Gibbs-Thomson Effect / Surface Free Energy | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 291, SDM2018-70, pp. 29-34, 2018年11月. | |
| 資料番号 | SDM2018-70 | |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-70 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-70 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-11-08 - 2018-11-09 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Topography Simulation of Trench-Filling Growth of 4H-SiC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 化学的気相堆積 / Chemical Vapor Deposition |
| キーワード(2)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(3)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | スーパージャンクション / Superjunction |
| キーワード(5)（和/英） | トレンチ埋込成長 / Trench - Filling Growth |
| キーワード(6)（和/英） | トポグラフィシミュレーション / Topography Simulation |
| キーワード(7)（和/英） | ギブス-トムソン効果 / Gibbs-Thomson Effect |
| キーワード(8)（和/英） | 表面自由エネルギー / Surface Free Energy |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 望月 和浩 / Kazuhiro Mochizuki / モチヅキ カズヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 紀 世陽 / Shiyang Ji / キ セイヨウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小杉 亮治 / Ryoji Kosugi / コスギ リョウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米澤 喜幸 / Yoshiyuki Yonezawa / ヨネザワ ヨシユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥村 元 / Hajime Okumura / オクムラ ハジメ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-09 09:20:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-70 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.291 |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) |
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