| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2018-11-12 17:15
[特別招待講演]Si基板上薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器 ○開 達郎・相原卓磨・武田浩司・藤井拓郎・硴塚孝明・土澤 泰・福田 浩・松尾慎治(NTT) OCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85 |
| 抄録 |
(和) |
(事前公開アブストラクト) Si基板上に薄膜InGaAsP位相シフタと水素フリーSiN導波路を集積し、マッハツェンダ変調器を作製。C帯全域でVπL: 約0.3 Vcmを確認。また、300um長位相シフタを有する上記素子において、NRZ 40Gbit/s動作を確認。 |
| (英) |
(Advance abstract in Japanese is available) |
| キーワード |
(和) |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 299, LQE2018-85, pp. 31-34, 2018年11月. |
| 資料番号 |
LQE2018-85 |
| 発行日 |
2018-11-05 (OCS, OPE, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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