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講演抄録/キーワード
講演名 2018-11-15 11:15
ゲート電圧制御回路を用いた低歪GaN電力増幅器
鳥居拓真半谷政毅稲垣隆二新庄真太郎三菱電機MW2018-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2018-95
抄録 (和) 無線通信では通信容量を増加させるため,PAPR(Peak to Average Power Ratio)の大きい信号が扱われている.そのため,無線通信システム用の電力増幅器はPAPRの大きい信号を低歪に増幅する必要がある.本報告では,動作電力に応じて電力増幅器のバイアス級を制御することによる低歪化を検討した.動作電力に応じて利得,位相特性が平坦になるようにバイアス級を制御することで低歪化を施す.20GHz帯GaN(Gallium Nitride)電力増幅器に対してゲート電圧制御回路を適用して評価を行った結果,ゲート電圧を固定にする場合に比べてIM3<-30dBcとなる出力電力のダイナミックレンジが7dBから15dBに拡大し,低歪化の効果を確認できた. 
(英) In order to expand communication capability, high PAPR (Peak to Average Power Ratio) signal is used. Therefore power amplifier for wireless communication system is required to output linear signal with high PAPR. In this sturdy, adaptive gate bias control depending on operational power is considered. Gain and phase shift characteristic are flattened by control gate bias voltage. Dynamic range of output power under IM3 of -30dBc is enhanced to 15dB from 7dB by utilizing adaptive gate bias control.
キーワード (和) Power Amplifier / GaN / Gate Bias / IM3 / / / /  
(英) Power Amplifier / GaN / Gate Bias / IM3 / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 308, MW2018-95, pp. 19-23, 2018年11月.
資料番号 MW2018-95 
発行日 2018-11-08 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MW2018-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2018-95

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2018-11-15 - 2018-11-16 
開催地(和) 福江文化会館 
開催地(英) Fukue Cultural Hall 
テーマ(和) マイクロ波/一般 
テーマ(英) Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2018-11-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ゲート電圧制御回路を用いた低歪GaN電力増幅器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low distortion GaN Power Amplifier with adaptive gate bias control 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Power Amplifier / Power Amplifier  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) Gate Bias / Gate Bias  
キーワード(4)(和/英) IM3 / IM3  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥居 拓真 / Takuma Torii / トリイ タクマ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi electric corporation (略称: Mitsubishi electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 半谷 政毅 / Masatake Hangai / ハンガイ マサタケ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi electric corporation (略称: Mitsubishi electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲垣 隆二 / Ryuji Inagaki / イナガキ リュウジ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi electric corporation (略称: Mitsubishi electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo / シンジョウ シンタロウ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi electric corporation (略称: Mitsubishi electric)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-11-15 11:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 MW2018-95 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.308 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数
発行日 2018-11-08 (MW) 


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