講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-11-15 11:15
ゲート電圧制御回路を用いた低歪GaN電力増幅器 ○鳥居拓真・半谷政毅・稲垣隆二・新庄真太郎(三菱電機) MW2018-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2018-95 |
抄録 |
(和) |
無線通信では通信容量を増加させるため,PAPR(Peak to Average Power Ratio)の大きい信号が扱われている.そのため,無線通信システム用の電力増幅器はPAPRの大きい信号を低歪に増幅する必要がある.本報告では,動作電力に応じて電力増幅器のバイアス級を制御することによる低歪化を検討した.動作電力に応じて利得,位相特性が平坦になるようにバイアス級を制御することで低歪化を施す.20GHz帯GaN(Gallium Nitride)電力増幅器に対してゲート電圧制御回路を適用して評価を行った結果,ゲート電圧を固定にする場合に比べてIM3<-30dBcとなる出力電力のダイナミックレンジが7dBから15dBに拡大し,低歪化の効果を確認できた. |
(英) |
In order to expand communication capability, high PAPR (Peak to Average Power Ratio) signal is used. Therefore power amplifier for wireless communication system is required to output linear signal with high PAPR. In this sturdy, adaptive gate bias control depending on operational power is considered. Gain and phase shift characteristic are flattened by control gate bias voltage. Dynamic range of output power under IM3 of -30dBc is enhanced to 15dB from 7dB by utilizing adaptive gate bias control. |
キーワード |
(和) |
Power Amplifier / GaN / Gate Bias / IM3 / / / / |
(英) |
Power Amplifier / GaN / Gate Bias / IM3 / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 308, MW2018-95, pp. 19-23, 2018年11月. |
資料番号 |
MW2018-95 |
発行日 |
2018-11-08 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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