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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-29 14:40 n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 ○塩島謙次・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大）  ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 |
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| 抄録 | （和） | GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning internal photoemission microscopy : SIPM)を行い、劣化過程の2次元評価を行った。電極の95%以上は、順方向特性で良好な直線性とノイズフロア(0.1pA)以下の逆方向電流を示した。バイアス電圧なし(V=0V)のSIPM測定では均一な光電流像が得られた。SIPM測定測定後のI-V特性、顕微光鏡像に変化はなかった。一方、数%の電極はV=-50Vで10 pAオーダーの逆方向電流が検出された。この電極ではV=-36VのSIPM測定測定中、顕著に光電流が増加する領域が発生した。この領域は顕微鏡像でも確認され、I-V特性も劣化した。これらの結果より、SIPM法が電圧印加劣化の初期過程の評価に適していると考えられる。 |
| （英） | We applied scanning internal photoemission microscopy (SIPM) method to characterize the initial stage of the degradation by in-situ applying voltage stress. For the contacts with a slightly larger reverse current of around a pA order at -50 V, the photocurrent (Y) maps were also uniform at Vbias =0 V, but over Vbias = -36 V, the Y was intensively increased at small spots. After such SIPM measurements, the both forward and reverse I-V characteristics became leaky, and in the microscope image of the electrode, dark spots appeared in the same pattern as the Y map. We can conclude that the small portions of the electrode were degraded upon the SIPM measurement at Vbias = -36 V, and the leakage paths with lower Schottky barrier height were formed. | |
| キーワード | （和） | GaN / ショットキー電極 / 界面顕微光応答法 / 2次元評価 / 電圧印加劣化 / / / |
| （英） | GaN / Schottky contacts / scanning internal photoemission microscopy / degradation by applying voltage stress / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 330, ED2018-36, pp. 17-20, 2018年11月. | |
| 資料番号 | ED2018-36 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー電極 / Schottky contacts |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 2次元評価 / degradation by applying voltage stress |
| キーワード(5)（和/英） | 電圧印加劣化 / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 昌嵩 / Masataka Maeda / マエダ マサタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-29 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2018-36, CPM2018-70, LQE2018-90 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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