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講演抄録/キーワード
講演名 2018-11-30 12:40
SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ
飯田涼介名城大)・林 菜摘村永 亘岩山 章竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101
抄録 (和) 窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO2埋め込み構造における埋め込み層厚と存在しうるモードの関係を計算した。続いて、必要な埋め込み厚を有する構造の作製工程を最適化した。最後に、このSiO2埋め込み構造を面発光レーザに適用し、室温連続動作時におけるしきい値電流の低減と導波構造の存在を示す高次モードを観測した。最大光出力は2.7 mWであり、外部微分量子効率は11%であった。 
(英) We have investigated buried SiO2 optical waveguide structures towards low threshold current in GaN-based vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs). In this study, a relation between the buried SiO2 thickness and all the possible modes were calculated. Then, we have optimized a fabrication process of the structure with a sufficient buried SiO2 thickness. Finally, we fabricated GaN-based VCSELs with the buried SiO2 structure. We then demonstrated a room-temperature continuous-wave operation of the VCSEL, showing a reduction of the threshold current and the operation with higher-order modes due to waveguide structure. The maximum light output power was 2.7 mW, and an external differential quantum efficiency was 11%.
キーワード (和) GaN / 面発光レーザ / 光閉じ込め / / / / /  
(英) GaN / VCSEL / waveguide / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 332, LQE2018-101, pp. 71-74, 2018年11月.
資料番号 LQE2018-101 
発行日 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2018-11-29 - 2018-11-30 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Inst. tech. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2018-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) GaN-based verticalcavity surfaceemitting lasers with buried SiO2 optical waveguide structures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) 面発光レーザ / VCSEL  
キーワード(3)(和/英) 光閉じ込め / waveguide  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 飯田 涼介 / Iida Ryosuke / イイダ リョウスケ
第1著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 菜摘 / Natsumi Hayashi / ハヤシ ナツミ
第2著者 所属(和/英) * (略称: *)
* (略称: *)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 村永 亘 / Wataru Muranaga / ムラナガ ワタル
第3著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩山 章 / Syo Iwayama / イワヤマ ショウ
第4著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ
第6著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ
第7著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム
第8著者 所属(和/英) 名城大学/名古屋大学 (略称: 名城大/名大)
Meijo University/Nagoya University (略称: Meijo Univ./Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-11-30 12:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2018-47, CPM2018-81, LQE2018-101 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) 
ページ範囲 pp.71-74 
ページ数
発行日 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) 


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