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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-30 12:40 SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ ○飯田涼介（名城大）・林 菜摘，村永 亘・岩山 章・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）  ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 |
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| 抄録 | （和） | 窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO2埋め込み構造における埋め込み層厚と存在しうるモードの関係を計算した。続いて、必要な埋め込み厚を有する構造の作製工程を最適化した。最後に、このSiO2埋め込み構造を面発光レーザに適用し、室温連続動作時におけるしきい値電流の低減と導波構造の存在を示す高次モードを観測した。最大光出力は2.7 mWであり、外部微分量子効率は11%であった。 |
| （英） | We have investigated buried SiO2 optical waveguide structures towards low threshold current in GaN-based vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs). In this study, a relation between the buried SiO2 thickness and all the possible modes were calculated. Then, we have optimized a fabrication process of the structure with a sufficient buried SiO2 thickness. Finally, we fabricated GaN-based VCSELs with the buried SiO2 structure. We then demonstrated a room-temperature continuous-wave operation of the VCSEL, showing a reduction of the threshold current and the operation with higher-order modes due to waveguide structure. The maximum light output power was 2.7 mW, and an external differential quantum efficiency was 11%. | |
| キーワード | （和） | GaN / 面発光レーザ / 光閉じ込め / / / / / |
| （英） | GaN / VCSEL / waveguide / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 332, LQE2018-101, pp. 71-74, 2018年11月. | |
| 資料番号 | LQE2018-101 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN-based verticalcavity surfaceemitting lasers with buried SiO2 optical waveguide structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 面発光レーザ / VCSEL |
| キーワード(3)（和/英） | 光閉じ込め / waveguide |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯田 涼介 / Iida Ryosuke / イイダ リョウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 菜摘 / Natsumi Hayashi / ハヤシ ナツミ |
| 第2著者 所属（和/英） | * (略称： *) * (略称： *) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村永 亘 / Wataru Muranaga / ムラナガ ワタル |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩山 章 / Syo Iwayama / イワヤマ ショウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大学 (略称： 名城大/名大) Meijo University/Nagoya University (略称： Meijo Univ./Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-30 12:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2018-47, CPM2018-81, LQE2018-101 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.71-74 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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