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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-30 14:55 GaN系フォトニック結晶レーザ実現のためのMOVPE空孔形成法の検討 ○小泉朋朗・江本 渓（スタンレー電気）・石崎賢司・デ ゾイサ メーナカ・田中良典（京大）・園田純一（スタンレー電気）・野田 進（京大）  ED2018-52 CPM2018-86 LQE2018-106 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では，青紫波長域のGaN系のフォトニック結晶レーザー実現のためのフォトニック結晶の形成法，すなわち周期的な空孔をGaN膜中に埋め込む手法について検討した結果を報告する．まず，様々な温度でのアニールによるマストランスポートを用いた空孔閉塞法を検討し，マストランスポートによる空孔の埋め込みのメカニズムおよび得られた表面状態について検討した結果を述べる．続いて，もう一つの空孔埋め込み法として，新たに，ファセット成長（{1-101}面の選択成長）とアニールを組み合わせた方法について検討し，前者に比べ，後者がより平坦な表面（表面粗さ0.4nm程度以下）状態を得る上で有効であることを見出した．以上より，ファセット成長およびアニール法を用いた空孔埋め込み法を用いることで，より良質の活性層を有する青紫波長域GaN系フォトニック結晶レーザーの実現が可能なると期待される． |
| （英） | In this report, we propose fabrication methods of air-hole-embedded photonic-crystals to realize blue-violet GaN-based photonic-crystal lasers. First we utilize the mass-transport technique at various temperatures to embed the air-holes into GaN layers. We discuss the embedding-mechanism based on the mass-transportation in detail, and also the surface morphology. In addition, we also propose a new embedding technique by combining selective {1-101} facet growth and post-annealing. We found that the new technique is effective for embedding holes in GaN films with flat surface morphology (roughness < 0.4nm). This new fabrication technique is expected to realize blue-violet GaN-based photonic-crystal surface emitting lasers with high quality active layers. | |
| キーワード | （和） | フォトニック結晶レーザー / 半導体レーザー / フォトニック結晶 / / / / / |
| （英） | Photonic crystal laser / Laser diode / Photonic crystal / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 332, LQE2018-106, pp. 91-94, 2018年11月. | |
| 資料番号 | LQE2018-106 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-52 CPM2018-86 LQE2018-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN系フォトニック結晶レーザ実現のためのMOVPE空孔形成法の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of holes in GaN by MOVPE for realization of photonic-crystal lasers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトニック結晶レーザー / Photonic crystal laser |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザー / Laser diode |
| キーワード(3)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小泉 朋朗 / Tomoaki Koizumi / コイズミ トモアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | スタンレー電気株式会社 (略称： スタンレー電気) Stanley Electric CO., LTD. (略称： Stanley Electric CO., LTD.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江本 渓 / Kei Emoto / エモト ケイ |
| 第2著者 所属（和/英） | スタンレー電気株式会社 (略称： スタンレー電気) Stanley Electric CO., LTD. (略称： Stanley Electric CO., LTD.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石崎 賢司 / Kenji Ishizaki / イシザキ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | デ ゾイサ メーナカ / De Zoysa Menaka / デ ゾイサ メーナカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 良典 / Yochinori Tanaka / タナカ ヨシノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 園田 純一 / Junichi Sonoda / ソノダ ジュンイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | スタンレー電気株式会社 (略称： スタンレー電気) Stanley Electric CO., LTD. (略称： Stanley Electric CO., LTD.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野田 進 / Susumu Noda / ノダ ススム |
| 第7著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-30 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2018-52, CPM2018-86, LQE2018-106 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.91-94 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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