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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-30 13:05 InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討 ○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー）  ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102 |
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| 抄録 | （和） | InGaNはInNとGaNの混晶であり、組成を変えることでバンドギャップの調整ができる。InGaN量子井戸における組成揺らぎは光デバイスの特性に大きな影響を与えるため、その特性向上や新機能付加には電子状態の理解が必要である。組成揺らぎを評価する一つの指標として、キャリアの局在状態と非局在状態の境界のエネルギーであるMobility edgeを評価するという方法がある。しかしMobility edgeを求めることができるとされている実験は複数あり、それぞれが異なるモデルで説明されている。本研究ではこの揺らぎと関連するMobility edgeについて実験的・理論的に研究し、よく使われているMobility edgeの評価方法が必ずしも正しい結果を与えないことを明らかにした。 |
| （英） | The bandgap energy of InGaN alloy materials can be controlled by changing their alloy composition. Since the compositional fluctuation in the InGaN quantum well (QW) greatly affects the characteristics of optical devices, it is very important to understand the electronic structures of such fluctuated InGaN-QW systems for the improvement of their device characteristics. Mobility edge, which is the boundary energy between the localized and delocalized states, can be an index to evaluate the potential fluctuation of carriers. Several experiments, however, have been proposed to evaluate the mobility edge, and they give sometime different results each other. In this study, we experimentally and theoretically have studied on the evaluation method of mobility edge, and have revealed that the commonly-used evaluation method does not necessarily give accurate results. | |
| キーワード | （和） | InGaN量子井戸 / 組成揺らぎ / 光学特性 / Mobility edge / / / / |
| （英） | InGaN-QWs / Potential fluctuation / Optical characterization / Mobility edge / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 332, LQE2018-102, pp. 75-78, 2018年11月. | |
| 資料番号 | LQE2018-102 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN-QWs |
| キーワード(2)（和/英） | 組成揺らぎ / Potential fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | 光学特性 / Optical characterization |
| キーワード(4)（和/英） | Mobility edge / Mobility edge |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤田 貴志 / Takashi Fujita / フジタ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai / サカイ シゲタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 優真 / Yuma Ikeda / イケダ ユウマ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani / カニタニ ユウヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya / トミヤ シゲタカ |
| 第6著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-30 13:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2018-48, CPM2018-82, LQE2018-102 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.75-78 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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