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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-12-18 09:00 ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT）  ED2018-62 |
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| 抄録 | （和） | 我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を評価した．InP系InGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTについては，冷却により遮断周波 数fT，最大発振周波数fmaxが増大するが，fmaxの方が冷却による増大の程度が大きい．Sb系InSbチャネルHEMTについては，２段階リセスプロセスを用いてfT = 316 GHzを得た．GaN系HEMTについては，三層絶縁膜を有するMIS型HEMTを考案した．InAlN/AlN/GaN MIS型HEMTにおいて，InAlNバリア層厚を3 nmまで薄膜化したゲート長45 nmの場合にfT = 235 GHzを得た． |
| （英） | We have fabricated nanometer-scale InP-, Sb- and GaN-based HEMTs by using electron beam lithography and measured their characteristics. For InP-based InGaAs/InAs/InGaAs channel HEMTs, we measured cryogenic characteristics. Cutoff frequency fT and maximum oscillation frequency fmax increase under cryogenic conditions. The extent of increase for fmax is much more than that for fT. For InSb channel HEMTs, we obtained an fT of 316 GHz by using two-step-recessed gate process. For GaN-based HEMTs, we proposed MIS-HEMTs with triple-layer insulators. We obtained an fT of 235 GHz for InAlN/AlN/GaN HEMTs with InAlN thickness of 3 nm and gate length of 45 nm. |
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| キーワード | （和） | 高電子移動度トランジスタ / HEMT / InP / Sb / GaN / 遮断周波数 / 最大発振周波数 / |
| （英） | High Electron Mobility Transistor / HEMT / InP / Sb / GaN / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 368, ED2018-62, pp. 35-38, 2018年12月. | |
| 資料番号 | ED2018-62 | |
| 発行日 | 2018-12-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED THz |
| 開催期間 | 2018-12-17 - 2018-12-18 |
| 開催地（和） | 東北大・通研 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-12-ED-THz |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Speed Performance of InP-, Sb- and GaN-based HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / High Electron Mobility Transistor |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(4)（和/英） | Sb / Sb |
| キーワード(5)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(6)（和/英） | 遮断周波数 / Cutoff frequency |
| キーワード(7)（和/英） | 最大発振周波数 / Maximum oscillation frequency |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 良美 / Yoshimi Yamashita / ヤマシタ ヨシミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu / カサマツ アキフミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤代 博記 / Hiroki Fujishiro / フジシロ ヒロキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-12-18 09:00:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2018-62 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.368 |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-12-10 (ED) |
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