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講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-25 13:45
Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響
中野 響松尾直人部家 彰山名一成高田忠雄盛谷浩右乾 徳夫佐藤 佑兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大EID2018-7 SDM2018-80 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2018-7 SDM2018-80
抄録 (和) DNAにArクラスターを照射した。照射前後で、電流値に大きな変化が見られた。ArクラスターによりDNAに変化が起きたと考えられる。Arクラスターと同時にSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)を行い、DNAの塩基に関するピークが見られた。DNAの形状に大きな変化があったのではないかと考えられる。 
(英) DNA was irradiated with Ar-cluster. A large change was observed in the current value before and after the irradiation. It seems that DNA has changed due to Ar-cluster. SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) was performed simultaneously with the Ar-cluster, and a peak related to DNA base was observed. It seems that there was a big change in the shape of DNA.
キーワード (和) DNA/Si-MOSFET / Secondary Ion Mass Spectrometry / / / / / /  
(英) DNA/Si-MOSFET / Secondary Ion Mass Spectrometry / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 380, SDM2018-80, pp. 25-28, 2018年12月.
資料番号 SDM2018-80 
発行日 2018-12-18 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EID2018-7 SDM2018-80 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2018-7 SDM2018-80

研究会情報
研究会 EID SDM ITE-IDY  
開催期間 2018-12-25 - 2018-12-25 
開催地(和) 龍谷大学 響都ホール 校友会館 
開催地(英)  
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-12-EID-SDM-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study for hole- or electron- conduction of DNA/Si-MOSFET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) DNA/Si-MOSFET / DNA/Si-MOSFET  
キーワード(2)(和/英) Secondary Ion Mass Spectrometry / Secondary Ion Mass Spectrometry  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 響 / Hibiki Nakano / ナカノ ヒビキ
第1著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松尾 直人 / Naoto Mastuo / マツオ ナオト
第2著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ
第3著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山名 一成 / Kazushige Yamana / ヤマナ カズシゲ
第4著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 忠雄 / Tadao Takada / タカダ タダオ
第5著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 盛谷 浩右 / Kousuke Moritani / モリタニ コウスケ
第6著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 乾 徳夫 / Norio Inui / イヌイ ノリオ
第7著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 佑 / Yu Sato / サトウ ユウ
第8著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 旦 / Tadashi Sato / サトウ タダシ
第9著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 新 / Shin Yokoyama / ヨコヤマ シン
第10著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-12-25 13:45:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 EID2018-7, SDM2018-80 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.379(EID), no.380(SDM) 
ページ範囲 pp.25-28 
ページ数
発行日 2018-12-18 (EID, SDM) 


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