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講演抄録/キーワード
講演名 2019-01-17 16:20
光導波路のパッシベーションのためのゾルゲルSiO2層表面の改善検討
小川 慧アマッド シャハリン イドリス韓 瑜姜 海松浜本貴一九大PN2018-53 EMT2018-87 OPE2018-162 LQE2018-172 EST2018-100 MWP2018-71
抄録 (和) ゾルゲル法で成膜するSiO2膜の光導波路のパッシベーションを検討している。イオン注入や電極取り付けに必要なウェットエッチングが困難であるという問題がこれまでにあった。本論文では、ゾルゲルSiO2膜の表面にポリマー層が生成されていることが原因と考え検討を行った。その結果、O2プラズマアッシングによってポリマー層を取り除き、ウェットエッチングが可能になることを確認した。さらに700 ℃の固化温度において1,800 nm/minのウェットエッチングレートが確認され、加えてこのSiO2膜が10^11 Ω/cm以上の非常に高いシート抵抗値を有していることも確認したので報告する。 
(英) For exploiting sol-gel SiO2 for waveguide device passivation, plasma-ashing, in addition to 700 ℃ annealing, is proposed to improve surface condition of sol-gel SiO2. Regular wet etching of SiO2 layer on Si with ratio of 1,800 nm/min and sufficient electrical insulation (>1011 Ω/cm) toward proper current induced refractive index change have been successfully confirmed.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / SiO2 / ゾルゲル法 / パッシベーション / 光導波路 / / /  
(英) Silicon photonics / SiO2 / Sol-Gel method / Passivation / Optical waveguides / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 399, LQE2018-172, pp. 127-130, 2019年1月.
資料番号 LQE2018-172 
発行日 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 PN EMT OPE EST MWP LQE IEE-EMT  
開催期間 2019-01-17 - 2019-01-18 
開催地(和) 大阪大学中之島センター 
開催地(英) Osaka University Nakanoshima Center 
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2019-01-PN-EMT-OPE-EST-MWP-LQE-EMT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 光導波路のパッシベーションのためのゾルゲルSiO2層表面の改善検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Surface Improvement Investigation of Sol-Gel SiO2 Cladding for Waveguide Device Passivation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics  
キーワード(2)(和/英) SiO2 / SiO2  
キーワード(3)(和/英) ゾルゲル法 / Sol-Gel method  
キーワード(4)(和/英) パッシベーション / Passivation  
キーワード(5)(和/英) 光導波路 / Optical waveguides  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 慧 / Satoshi Ogawa / オガワ サトシ
第1著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) アマッド シャハリン イドリス / Ahmad Syahrin Idris / アマッド シャハリン イドリス
第2著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 韓 瑜 / Yu Han / ハン ユ
第3著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 姜 海松 / Haisong Jiang / キョウ カイショウ
第4著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 浜本 貴一 / Kiichi Hamamoto / ハマモト キイチ
第5著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2019-01-17 16:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 PN2018-53, EMT2018-87, OPE2018-162, LQE2018-172, EST2018-100, MWP2018-71 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.396(PN), no.397(EMT), no.398(OPE), no.399(LQE), no.400(EST), no.401(MWP) 
ページ範囲 pp.127-130 
ページ数
発行日 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) 


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