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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-01-17 15:25 ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 ○南條拓真・小山英寿・今井章文・綿引達郎・山向幹雄（三菱電機）  ED2018-78 MW2018-145 |
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| 抄録 | （和） | GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノーマリオフ動作するための多くの絶縁ゲート型のトランジスタが提案されている。本研究では、薄いAlNバリア層とGaNチャネル層からなるヘテロ接合を用いたノーマリオフ型のMOS-HFET (Metal-Oxide- Semiconductor Heterojunction-Field-Effect-Transistors)において、MOS界面準位を低減する目的で、バイアスアニールの効果を調査した。その結果、+8Vの正のゲートバイアスにて300℃でアニールすることによってC-V特性の周波数依存性が大幅に改善し、周波数分散のない理想的なC-V特性が得られることがわかった。また、作製したトランジスタにて、しきい値電圧が+3Vでドレイン電流が0.7A/mmのノーマリオフ動作を実現した。さらに、ゲート酸化膜堆積後のアニールやゲート電極形成後のアニールとの比較も行ない、特性改善の効果はバイアスアニールが最も高いことを実証した。 |
| （英） | ||
| キーワード | （和） | GaN / MOS-HFET / ノーマリオフ / エンハンスメント型 / ポストアニール / バイアスアニール / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 402, ED2018-78, pp. 55-58, 2019年1月. | |
| 資料番号 | ED2018-78 | |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-78 MW2018-145 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2019-01-17 - 2019-01-18 |
| 開催地（和） | 日立中研 |
| 開催地（英） | Hitachi, Central Research Lab. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2019-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / |
| キーワード(2)（和/英） | MOS-HFET / |
| キーワード(3)（和/英） | ノーマリオフ / |
| キーワード(4)（和/英） | エンハンスメント型 / |
| キーワード(5)（和/英） | ポストアニール / |
| キーワード(6)（和/英） | バイアスアニール / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南條 拓真 / / ナンジョウ 拓真 |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) (略称： ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 英寿 / / コヤマ ヒデトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) (略称： ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今井 章文 / / イマイ アキフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) (略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 綿引 達郎 / / タツロウ ワタヒキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山向 幹雄 / / ヤマムカ ミキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-01-17 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2018-78, MW2018-145 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.402(ED), no.403(MW) |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |
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