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| 講演名 | 2019-01-18 10:40 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析 ○四田泰代（住友電工デバイス・イノベーション）・舘野泰範・米村卓巳・古川将人・山本 洋（住友電工）・野瀬幸則・清水 聡（住友電工デバイス・イノベーション）  ED2018-81 MW2018-148 |
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| 抄録 | （和） | 本研究の目的は，高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について，デバイス内部の応力・結晶歪に着目し，シミュレーションとデバイス内部を直接分析することで，その物理的メカニズムを検証することである．顕微ラマン分光法を用いて高温放置試験によって閾値電圧が浅い方へ変動したデバイスのゲート金属直下の結晶応力を評価した結果，高温放置前より結晶が垂直方向(c軸方向)に伸びていることが分かった．これはシミュレーションの結果と一致する．今回の結果から，高温通電試験での閾値電圧変動は，ゲート電極直下の結晶歪の変化によって，ピエゾ分極が変化し，2DEG濃度が変化したことが原因の一つであると結論づける． |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | GaN-HEMT / ピエゾ分極 / ラマン分光法 / 信頼性 / 閾値電圧変動 / 結晶歪 / 応力 / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 402, ED2018-81, pp. 67-70, 2019年1月. | |
| 資料番号 | ED2018-81 | |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-81 MW2018-148 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2019-01-17 - 2019-01-18 |
| 開催地（和） | 日立中研 |
| 開催地（英） | Hitachi, Central Research Lab. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2019-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The failure mode analysis on GaN-HEMT under High temperature operation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN-HEMT / |
| キーワード(2)（和/英） | ピエゾ分極 / |
| キーワード(3)（和/英） | ラマン分光法 / |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / |
| キーワード(5)（和/英） | 閾値電圧変動 / |
| キーワード(6)（和/英） | 結晶歪 / |
| キーワード(7)（和/英） | 応力 / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 四田 泰代 / Yasuyo Yotsuda / ヨツダ ヤスヨ |
| 第1著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称： SEDI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舘野 泰範 / Yasunori Tateno / タテノ ヤスノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： SEI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米村 卓巳 / Takumi Yonemura / ヨネムラ タクミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： SEI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 将人 / Masato Furukawa / フルカワ マサト |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： SEI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 洋 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： SEI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野瀬 幸則 / Yukinori Nose / ノセ ユキノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称： SEDI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 聡 / Satoshi Shimizu / シミズ サトシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称： SEDI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-01-18 10:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2018-81, MW2018-148 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.402(ED), no.403(MW) |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-10 (ED, MW) |
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