| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2019-01-25 09:30
量子ドット発光ダイオードの作製と発光機構評価 ○佐野翔一・高田 誠・永瀬 隆・小林隆史・内藤裕義(阪府大) EID2018-9 |
| 抄録 |
(和) |
表面を化学修飾した量子ドット(QD)は塗布プロセスでのデバイス作製が可能な無機半導体材料である。そのため、量子発光ダイオード(QLED)は有機発光ダイオード(OLED)に代わる次世代のディスプレイ(8Kテレビ)材料として注目を集めている。典型的な構造のQLEDにおいて、正孔輸送層からQD層への正孔注入障壁が1 eV程度と大きいにも関わらず、Cd系の量子ドットを用いたQLEDにおいて高い外部量子効率を示す。本発表では、Cd系の量子ドットを用いたQLEDを塗布プロセスで作製し、その特性評価を行い、またデバイスシミュレーションを用いて発光機構について考察を行った。 |
| (英) |
Quantum-dots (QDs) are solution-processed nanoscale crystals of semiconducting materials. Quantum-dot light-emitting diodes (QLEDs) are a competitive alternative to organic light-emitting diodes (OLEDs) and a potential candidate for next generation display (8K TV). Although in typical structure of QLEDs with Cd-based QDs, hole injection barrier from hole transport layer to the QD layer is about 1 eV, high current efficiency of the QLEDs was reported in literature. In this presentation, we have fabricated solution-processed QLEDs with Cd-based QDs, have evaluated the characteristics, and have investigated an emission mechanism. |
| キーワード |
(和) |
量子ドット (QD) / 量子ドット発光ダイオード(QLED) / / / / / / |
| (英) |
Quantum-dot (QD), / Quantum-dot light-emitting diodes(QLED) / / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 422, EID2018-9, pp. 61-64, 2019年1月. |
| 資料番号 |
EID2018-9 |
| 発行日 |
2019-01-17 (EID) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
EID2018-9 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
EID ITE-IDY IEIJ-SSL SID-JC IEE-EDD |
| 開催期間 |
2019-01-24 - 2019-01-25 |
| 開催地(和) |
鹿児島大学 稲盛会館 |
| 開催地(英) |
Kagoshima University |
| テーマ(和) |
発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ(英) |
|
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
EID |
| 会議コード |
2019-01-EID-IDY-SSL-JC-EDD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
量子ドット発光ダイオードの作製と発光機構評価 |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
Fabrication and Opto-electric Characterization of Quantum-dot light-emitting diodes |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
量子ドット (QD) / Quantum-dot (QD), |
| キーワード(2)(和/英) |
量子ドット発光ダイオード(QLED) / Quantum-dot light-emitting diodes(QLED) |
| キーワード(3)(和/英) |
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| キーワード(4)(和/英) |
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| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
佐野 翔一 / Shoichi Sano / サノ ショウイチ |
| 第1著者 所属(和/英) |
大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高田 誠 / Makoto Takada / タカダ マコト |
| 第2著者 所属(和/英) |
大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
永瀬 隆 / Takashi Nagase / ナガセ タカシ |
| 第3著者 所属(和/英) |
大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小林 隆史 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第4著者 所属(和/英) |
大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
内藤 裕義 / Hiroyoshi Naito / ナイトウ ヒロヨシ |
| 第5著者 所属(和/英) |
大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2019-01-25 09:30:00 |
| 発表時間 |
5分 |
| 申込先研究会 |
EID |
| 資料番号 |
EID2018-9 |
| 巻番号(vol) |
vol.118 |
| 号番号(no) |
no.422 |
| ページ範囲 |
pp.61-64 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2019-01-17 (EID) |