講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-01-25 09:30
量子ドット発光ダイオードの作製と発光機構評価 ○佐野翔一・高田 誠・永瀬 隆・小林隆史・内藤裕義(阪府大) EID2018-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2018-9 |
抄録 |
(和) |
表面を化学修飾した量子ドット(QD)は塗布プロセスでのデバイス作製が可能な無機半導体材料である。そのため、量子発光ダイオード(QLED)は有機発光ダイオード(OLED)に代わる次世代のディスプレイ(8Kテレビ)材料として注目を集めている。典型的な構造のQLEDにおいて、正孔輸送層からQD層への正孔注入障壁が1 eV程度と大きいにも関わらず、Cd系の量子ドットを用いたQLEDにおいて高い外部量子効率を示す。本発表では、Cd系の量子ドットを用いたQLEDを塗布プロセスで作製し、その特性評価を行い、またデバイスシミュレーションを用いて発光機構について考察を行った。 |
(英) |
Quantum-dots (QDs) are solution-processed nanoscale crystals of semiconducting materials. Quantum-dot light-emitting diodes (QLEDs) are a competitive alternative to organic light-emitting diodes (OLEDs) and a potential candidate for next generation display (8K TV). Although in typical structure of QLEDs with Cd-based QDs, hole injection barrier from hole transport layer to the QD layer is about 1 eV, high current efficiency of the QLEDs was reported in literature. In this presentation, we have fabricated solution-processed QLEDs with Cd-based QDs, have evaluated the characteristics, and have investigated an emission mechanism. |
キーワード |
(和) |
量子ドット (QD) / 量子ドット発光ダイオード(QLED) / / / / / / |
(英) |
Quantum-dot (QD), / Quantum-dot light-emitting diodes(QLED) / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 422, EID2018-9, pp. 61-64, 2019年1月. |
資料番号 |
EID2018-9 |
発行日 |
2019-01-17 (EID) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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