講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-01-29 13:45
[招待講演]HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸(産総研)・奈良 純・山崎隆浩(物質・材料研究機構)・住田杏子(産総研)・佐野良介・野平博司(東京都市大) SDM2018-87 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-87 |
抄録 |
(和) |
1分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole modulation) と呼ぶポテンシャル変化が観察される.本報告では,IDM動作の根拠となったMOS (metal oxide semiconductor) デバイス特性およびx線光電子分光法の測定結果を紹介するとともに,第一原理計算法によって得られた界面構造およびポテンシャル分布がIDM機構を支持することを述べる.また,メモリデバイスへの応用として多層HfO2/SiO2 IDM構造が有望であることを示し,実際に多層IDM構造を組み込んだFET (field-effect transistors) のデバイス特性を紹介する. |
(英) |
We report an electric-field-induced interface dipole modulation (IDM) in HfO2/1-ML TiO2/SiO2 MOS stack structures. Experimental evidence for IDM was exhibited, and rearrangement of interfacial Ti-O configuration by an electric field was theoretically demonstrated to cause the potential modulation. Multi-stack HfO2/SiO2 MOSFETs with multiple dipole modulation layers are promising in terms of a low temperature process, practical memory window, and stable potential switching. |
キーワード |
(和) |
不揮発メモリ / 界面ダイポール / MOSFET / ゲート絶縁膜 / HfO2 / SiO2 / / |
(英) |
Nonvolatile memory / Interface dipole / MOSFET / Gate dielectric layer / HfO2 / SiO2 / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 429, SDM2018-87, pp. 27-30, 2019年1月. |
資料番号 |
SDM2018-87 |
発行日 |
2019-01-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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