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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-01-29 09:55 ［招待講演］強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大）  SDM2018-82 |
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| 抄録 | （和） | 最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によるものとして解釈する報告が多数発表されている。ところが負性容量効果それ自体の物理定義や実証方法に不明瞭な部分が残されているため、実験で得られた急峻スロープ特性の全てを新しい動作原理の実証だと結論付けることは困難であると我々は考えている。本研究では強誘電体キャパシタとMISキャパシタとの面積比を調整したMFMIS型ゲートスタック構造を有するトランジスタを作成して電気特性を調べた。そして適切な面積比を採用した時に急峻スロープ特性が顕著に現れることを確認した。この現象を我々は、強誘電体に自発分極反転が生じる際に現れる電荷が作り出した電圧再分配によるものであるというモデルで解釈した。 |
| （英） | Steep-subthreshold swing (steep-SS) behaviors are observable in recent ferroelectric-gate field-effect transistors (FE-FETs) many times, and those reports suggest that they are caused by the negative capacitance effect (NC-Effect). However, the definition and the criteria for the NC-effect are still unclear. Therefore, it is not easy to conclude that all of those results come from the NC-effect. In this work, we prepared FE-FETs that consist of the metal-ferroelectric-metal-insulator- semiconductor (MFMIS) gates stack structures with different area ratios between MIS and MFM capacitors. We observed that the steep-SS behavior becomes remarkable in the FE-FET with appropriate capacitance ratio. We think that this phenomena is explainable from the viewpoint of redistribution of voltage in the gate stack caused by the electronic charge emerged in the process of the polarization reversal in the ferroelectric capacitors. | |
| キーワード | （和） | 急峻スロープ / 負性容量効果 / 強誘電体 / HfO2 / トランジスタ / / / |
| （英） | steep subthreshold swing / negative capacitance / ferroelectricity / HfO2 / transistor / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 429, SDM2018-82, pp. 5-8, 2019年1月. | |
| 資料番号 | SDM2018-82 | |
| 発行日 | 2019-01-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-82 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-01-29 - 2019-01-29 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Assessment of Steep-Subthreshold Swing Behaviors in Ferroelectric Field-Effect Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 急峻スロープ / steep subthreshold swing |
| キーワード(2)（和/英） | 負性容量効果 / negative capacitance |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectricity |
| キーワード(4)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(5)（和/英） | トランジスタ / transistor |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥海 明 / Akira Thorium / トリウミ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-01-29 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-82 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.429 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-22 (SDM) |
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