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| 講演名 | 2019-01-29 11:00 ［招待講演］The Relationship between Polarization Switching and Subthreshold Behavior in HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET: An Experimental Study ○Chengji Jin・Kyungmin Jang・Takuya Saraya・Toshiro Hiramoto・Masaharu Kobayashi（Univ. of Tokyo）  SDM2018-84 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-84 |
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| 抄録 | （和） | We have experimentally studied and revealed the direct relationship between polarization switching and subthreshold characteristics of HfO2-based ferroelectric FET (FeFET) and Anti-FeFET (A-FeFET) by systematically designing and fabricating devices, and monitoring Ig with high resolution. In the circumstances that charge injection prevents polarization switching from occurring in subthreshold region of FeFET, we have obtained two major findings: (1) Sub-60 subthreshold slope (SS) can be realized by adjusting Vg bias sequence, which is attributed to charge injection assisted by polarization switching. (2) Anti-ferroelectric facilitates to align polarization switching in subthreshold region and SS can be improved in A-FeFET, which is directly observed by monitoring Ig. |
| （英） | We have experimentally studied and revealed the direct relationship between polarization switching and subthreshold characteristics of HfO2-based ferroelectric FET (FeFET) and Anti-FeFET (A-FeFET) by systematically designing and fabricating devices, and monitoring Ig with high resolution. In the circumstances that charge injection prevents polarization switching from occurring in subthreshold region of FeFET, we have obtained two major findings: (1) Sub-60 subthreshold slope (SS) can be realized by adjusting Vg bias sequence, which is attributed to charge injection assisted by polarization switching. (2) Anti-ferroelectric facilitates to align polarization switching in subthreshold region and SS can be improved in A-FeFET, which is directly observed by monitoring Ig. | |
| キーワード | （和） | Steep SS / ferroelectric HfO2 / polarization switching / / / / / |
| （英） | Steep SS / ferroelectric HfO2 / polarization switching / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 429, SDM2018-84, pp. 13-16, 2019年1月. | |
| 資料番号 | SDM2018-84 | |
| 発行日 | 2019-01-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-84 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-84 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-01-29 - 2019-01-29 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-01-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Relationship between Polarization Switching and Subthreshold Behavior in HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET: An Experimental Study |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Steep SS / Steep SS |
| キーワード(2)（和/英） | ferroelectric HfO2 / ferroelectric HfO2 |
| キーワード(3)（和/英） | polarization switching / polarization switching |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Chengji Jin / Chengji Jin / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Kyungmin Jang / Kyungmin Jang / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Takuya Saraya / Takuya Saraya / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Toshiro Hiramoto / Toshiro Hiramoto / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Masaharu Kobayashi / Masaharu Kobayashi / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-01-29 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-84 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.429 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-22 (SDM) |
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