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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-02-28 16:45 製造・実装ばらつきに起因する放射スペクトルの違いを用いた電子機器の個体識別手法に関する基礎検討 ○鍛治秀伍（奈良先端大）・衣川昌宏（仙台高専）・藤本大介（奈良先端大）・Laurent Sauvage・Jean-Luc Danger（Telecom ParisTech）・林 優一（奈良先端大）  VLD2018-120 HWS2018-83 |
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| 抄録 | （和） | 電子機器内部のICやその他の素子などの偽造や複製による模造品の流通によって、電子機器の機能や性能が維持・保証できなくなり重大な事故を引き起こす可能性がある。そのため、半導体素子の製造過程で生じる複製が困難な物理的特徴を用いた機器の認証が注目されている。これらの認証では、主に、素子レベルの真正性を確保していた。本稿では、電子機器の製造・実装ばらつきに起因して生じる放射電磁波のスペクトルの差異に着目した認証によって、電子機器の基板レベルにおいても真正性を確保する手法について提案し、その基礎的な検討を行う。具体的には、マイコン内部の識別用信号を放射源とする放射電磁波とその高調波のピーク強度が電子機器の製造・実装ばらつきによって変化することを確認し、それらの差異を用いた個体識別手法の基礎評価を行う。 |
| （英） | There is a possibility that electronic devices which contain counterfeited/cloned ICs or electronic components cause serious accidents. For this reason, the authentication methods using physical features that make difficult to clone during the manufacturing process of the semiconductor devices are studied. These authentication methods mainly focus the IC-level authenticity. In this paper, we propose a method to provide the board-level authenticity of electronic devices by authentication focusing on the difference of radiation spectrum caused by manufacturing/mounting variations of electronic devices. Specifically, we demonstrate that the fundamental and harmonic wave of the radiated electromagnetic wave generated by the identification signal inside the microcontroller change due to manufacturing/mounting variation of the electronic device. In addition, we evaluate the individual identification method using these differences. | |
| キーワード | （和） | デバイス識別 / 電磁放射 / 製造ばらつき / 実装ばらつき / / / / |
| （英） | Device identification / Electromagnetic emission / Manufacturing variation / Mounting variation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 458, HWS2018-83, pp. 163-167, 2019年2月. | |
| 資料番号 | HWS2018-83 | |
| 発行日 | 2019-02-20 (VLD, HWS) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2018-120 HWS2018-83 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | HWS VLD |
| 開催期間 | 2019-02-27 - 2019-03-02 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Ken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術, ハードウェアセキュリティ, 一般 |
| テーマ（英） | Design Technology for System-on-Silicon, Hardware Security, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | HWS |
| 会議コード | 2019-02-HWS-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 製造・実装ばらつきに起因する放射スペクトルの違いを用いた電子機器の個体識別手法に関する基礎検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fundamental Study on Individual Identification Method of Electronic Device Using Difference of Radiation Spectrum Caused by Manufacturing/Mounting Variations |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | デバイス識別 / Device identification |
| キーワード(2)（和/英） | 電磁放射 / Electromagnetic emission |
| キーワード(3)（和/英） | 製造ばらつき / Manufacturing variation |
| キーワード(4)（和/英） | 実装ばらつき / Mounting variation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鍛治 秀伍 / Shugo Kaji / カジ シュウゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 衣川 昌宏 / Masahiro kinugawa / キヌガワ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 仙台高等専門学校 (略称： 仙台高専) National Institute of Technology, Sendai College (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤本 大介 / Daisuke Fujimoto / フジモト ダイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Laurent Sauvage / Laurent Sauvage / Laurent Sauvage |
| 第4著者 所属（和/英） | Telecom ParisTech (略称： Telecom ParisTech) Telecom ParisTech (略称： Telecom ParisTech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jean-Luc Danger / Jean-Luc Danger / Jean-Luc Danger |
| 第5著者 所属（和/英） | Telecom ParisTech (略称： Telecom ParisTech) Telecom ParisTech (略称： Telecom ParisTech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 優一 / Yu-ichi Hayashi / ハヤシ ユウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-02-28 16:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | HWS |
| 資料番号 | VLD2018-120, HWS2018-83 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.457(VLD), no.458(HWS) |
| ページ範囲 | pp.163-167 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-02-20 (VLD, HWS) |
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