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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-02-28 10:25 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価 ○真崎 諒・吉田有佑（芝浦工大）・天野英晴（慶大）・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2018-108 HWS2018-71 |
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| 抄録 | （和） | 近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの１つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算能力を必要としないものがある。しかし、それらは電源供給が困難な場所で使用されることが多く、限られたエネルギー資源の中で動作させ続けるためには、低消費エネルギー化が極めて重要になる。そこで本研究では、スタンダードセルを組み合わせて、構成されるデジタルオンチップメモリであるスタンダードセルメモリ(Standard Cell based Memory：SCM)に、複数の基板バイアスを印加するマルチボディバイアス制御を適用し、実チップを用いてSCMの消費エネルギーの評価を行った。プロセスは、基板バイアス効果が大きいFD-SOIデバイスの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin-BOX：SOTB)を用いる。 |
| （英） | In recent years, IoT devices are rapidly increasing. One of the IoT devices is a sensor node and a small medical device etc. Since they are often used in places where power supply is difficult, low energy consumption is extremely important. Therefore, in this study, multi body-bias control is applied to SCM (Standard Cell based Memory), which is a digital on-chip memory configured by combining standard cells, and the energy consumption energy of SCM was evaluated using real chips. As the process technology, thin-film BOX-SOI (Silicon on Thin-BOX: SOTB) which is one of FD-SOI devices having a large body bias effect is used. | |
| キーワード | （和） | ボディバイアス / Standard Cell based Memory / 超低電圧 / 薄膜BOX-SOI / / / / |
| （英） | Body Bias / Standard Cell based Memory / Ultra low voltage / SOTB / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 457, VLD2018-108, pp. 91-96, 2019年2月. | |
| 資料番号 | VLD2018-108 | |
| 発行日 | 2019-02-20 (VLD, HWS) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2018-108 HWS2018-71 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | HWS VLD |
| 開催期間 | 2019-02-27 - 2019-03-02 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Ken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術, ハードウェアセキュリティ, 一般 |
| テーマ（英） | Design Technology for System-on-Silicon, Hardware Security, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2019-02-HWS-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of low power consumption Standard Cell Memory (SCM) using body-bias control in Silicon-on-Thin-BOX MOSFET:SOTB |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ボディバイアス / Body Bias |
| キーワード(2)（和/英） | Standard Cell based Memory / Standard Cell based Memory |
| キーワード(3)（和/英） | 超低電圧 / Ultra low voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜BOX-SOI / SOTB |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 真崎 諒 / Ryo Magasaki / マガサキ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 有佑 / Yusuke Yoshida / ヨシダ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 英晴 / Hideharu Amano / アマノ ヒデハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 慶応義塾大学 (略称： 慶大) Keio University (略称： Keio Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-02-28 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2018-108, HWS2018-71 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.457(VLD), no.458(HWS) |
| ページ範囲 | pp.91-96 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-02-20 (VLD, HWS) |
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