| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-06-21 16:05 超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション ○小川湧太郎・野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大）  SDM2019-33 |
|
| 抄録 | （和） | 超格子GeTe/Sb2Te3は次世代不揮発性メモリとして期待されているInterfacial Phase Change Memory(iPCM)のメモリ素子に使われる材料 である。 白川らは超格子GeTe/Sb2Te3の新しい高抵抗および低抵抗状態(HRS/LRS)の原子構造を提案した。しかし白川らのMD計算アモルファス化させたGeTe層を持つ中間構造を初期状態としており、実際のメモリ内部で引き起こされるスイッチング過程とは異なっている。そこで本研究では密度汎関数法に基づく第一原理分子動力学 (MD)計算を用いて、HRSを初期構造としてLRSへスイッチングするか、反対にLRSを初期構造としてHRSへスイッチングするかを検証した。その結果、白川らが提案したHRSとLRSの間のスイッチングの過程を見ることができ、iPCMのスイッチングメカニズムおよびHRSとLRSを明らかにすることができた。 |
| （英） | GeTe/ Sb2Te3 superlattice is used in memory elements of interfacial phase change memory (iPCM). iPCM is one of the most promising candidates of next generation non-volatile memories. The structural change with resistive switching of GeTe/Sb2Te3 superlattice is triggered by movement of Ge atoms in GeTe layer. Shirakawa et al. proposed that the structural change is caused by Joule heating and hole injection. And also they proposed High and Low Resistivity State (HRS/LRS) by calculating switching from an intermediate structure with amorphous GeTe layer. However this switching process is different from the actual switching in real devices. In this study, we investigated the direct switching between the HRS and LRS by using first principle molecular dynamics calculation with DFT. As the result, we found HRS was switched to a low resistive structure. On the other hand, LRS was switched to HRS by Joule heating and hole injection. | |
| キーワード | （和） | iPCM / GeTe/Sb2Te3 / 密度汎関数理論 / / / / / |
| （英） | iPCM / GeTe/Sb2Te3 / Density functional theory / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 96, SDM2019-33, pp. 39-42, 2019年6月. | |
| 資料番号 | SDM2019-33 | |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-33 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-06-21 - 2019-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | First principle simulation about phase change of superlattice GeTe/Sb2Te3 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | iPCM / iPCM |
| キーワード(2)（和/英） | GeTe/Sb2Te3 / GeTe/Sb2Te3 |
| キーワード(3)（和/英） | 密度汎関数理論 / Density functional theory |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 湧太郎 / Yutaro Ogawa / オガワ ユウタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野原 弘晶 / Hiroaki Nohara / ノハラ ヒロアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白川 裕規 / Hiroki Shirakawa / シラカワ ヒロキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 洗平 昌晃 / Masaaki Araidai / アライダイ マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-06-21 16:05:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-33 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.96 |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]