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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-06-21 16:25 ホウ素導入を行ったALD-Al2O3/GaN-MOSキャパシタにおける界面特性評価 ○出来真斗・奥出 真・安藤悠人・渡邉浩崇・田中敦之・久志本真希・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大）  SDM2019-34 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-34 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 96, SDM2019-34, pp. 43-46, 2019年6月. | |
| 資料番号 | SDM2019-34 | |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-34 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-06-21 - 2019-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ホウ素導入を行ったALD-Al2O3/GaN-MOSキャパシタにおける界面特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Interface Characteristics in GaN-MOS Capacitors with Boron-doped Al2O3 Gate Insulators |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出来 真斗 / Manato Deki / デキ マナト |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥出 真 / Shin Okude / オクデ シン |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 悠人 / Yuto Ando / アンドウ ユウト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 浩崇 / Hirotaka Watanabe / ワタナベ ヒロタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 敦之 / Atsushi Tanaka / タナカ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久志本 真希 / Maki Kushimoto / クシモト マキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新田 州吾 / Shugo Nitta / ニッタ シュウゴ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-06-21 16:25:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-34 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.96 |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) |
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