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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-06-21 12:00 イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について ○祖父江秀隆・福田雅大・柴山茂久（名大）・財満鎭明（名城大）・中塚 理（名大）  SDM2019-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-28 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 96, SDM2019-28, pp. 17-20, 2019年6月. | |
| 資料番号 | SDM2019-28 | |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-28 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-06-21 - 2019-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mechanism of strain relaxation enhancement by ion implantation method for group-IV semiconductor alloy thin film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 祖父江 秀隆 / Hidetaka Sofue / ソフエ ヒデタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 雅大 / Masahiro Fukuda / フクダ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka, / ナカツカ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-06-21 12:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-28 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.96 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) |
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