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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-06-21 16:45 HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析 ○大田晃生・牧原克典（名大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司・宮﨑誠一（名大）  SDM2019-35 |
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| 抄録 | （和） | 化学溶液洗浄したGaN(0001)上にプラズマ支援ALDを用いてHf/(Hf+Si)組成の異なるHfSiOxを形成し、800ºCでN2雰囲気中熱処理を行った後、X線光電子分光法(XPS)や光電子収率分光法(PYS)を用いて化学構造や電子状態を評価した。Si 2p、Hf 4fおよびO 1s内殻光電子スペクトルよりHfSiOx/GaN構造の化学結合状態を調べた。また、HfSiOxやGaNにおいて、二次光電子や価電子帯信号の解析より真空準位から価電子帯上端までのエネルギー位置を調べ、内殻光電子エネルギー損失信号より見積もったHfSiOxのバンドギャップ(Eg)を組み合わせることで、伝導帯下端位置を決定した。さらに、PYSより、電子占有欠陥密度のHf/(Hf+Si)組成依存性を調べ、HfO2に比べてHfSiOxでは、ミッドギャップから伝導帯下端近傍の欠陥を大きく低減できることが分かった。 |
| （英） | A HfSiOx layer with different Hf/(Hf+Si) composition ratio was formed on wet chemically-cleaned GaN(0001) using ALD, and then post deposition annealing at 800ºC in N2 ambience was performed to densify the dielectric layer. Chemical structure and electronic state for the samples were characterized by using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and total photoelectron yield spectroscopy (PYS). Changes in chemical bonding features of HfSiOx with Hf content were investigated from Si 2p, Hf 4f, and O 1s core-line spectra. Energy band offset between HfSiOx and GaN were determined by the combination of the valence band maximum energy from the vacuum level with the bandgap (Eg) value. PYS analysis shows that of filled electronic defects in the HfSiOx at the energy region from midgap to conduction band were significantly decreased as compared to HfO2. | |
| キーワード | （和） | HfSiOx / GaN / 光電子分光分析 / 電子状態 / / / / |
| （英） | HfSiOx / GaN / Photoelectron Spectroscopy / Electronic States / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 96, SDM2019-35, pp. 47-51, 2019年6月. | |
| 資料番号 | SDM2019-35 | |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-06-21 - 2019-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical Structure and Electronic States of HfSiOx/GaN(0001) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HfSiOx / HfSiOx |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 光電子分光分析 / Photoelectron Spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 電子状態 / Electronic States |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame / ナバタメ トシヒデ |
| 第3著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩﨑 宏司 / Koji Shiozaki / シオザキ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮﨑 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-06-21 16:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-35 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.96 |
| ページ範囲 | pp.47-51 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) |
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