| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2019-08-06 15:50
化合物半導体トンネルダイオードの特性評価と解析を目指した被試験素子のモデル化 ○須原理彦(首都大東京) ED2019-30 |
| 抄録 |
(和) |
化合物半導体トンネルダイオード等の特性解析を目指し,オンウエハ測定のための被試験素子のモデル化と評価のための考察を行った。具体的には,半絶縁性基板上に形成しダイオードを模擬した半導体メサ形状と埋め込み絶縁膜およびコンタクト用電極からなる被試験素子形状のミリ波帯Sパラメータ特性を電磁界シミュレーションし,その結果から等価回路モデルを同定し,半導体メサ部分の素子特性を寄生成分から分離して評価する手法について検討した結果を報告する。 |
| (英) |
Aiming at the characteristic analysis of compound semiconductor tunnel diode, we considered for modeling and evaluation of the device under test. Specifically, the millimeter wave band S-parameter characteristics of the device under test consisting of a semiconductor mesa shape formed on a semi-insulating substrate and simulating a diode, a buried insulating film, and a contact electrode are electromagnetic field simulated, and the results are The equivalent circuit model is identified, and the result of examining the method of separating and evaluating the element characteristic of the semiconductor mesa part from the parasitic component is reported. |
| キーワード |
(和) |
オンウエハ測定 / ミリ波帯 / Sパラメータ / 電磁界シミュレーション / モデリング / / / |
| (英) |
on-wafer measurement / millimeter-wave / S-parameter / electromagnetic field simulation / modeling / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 160, ED2019-30, pp. 17-19, 2019年8月. |
| 資料番号 |
ED2019-30 |
| 発行日 |
2019-07-30 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ED2019-30 |