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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-08-09 13:25 ［招待講演］テラビット大容量応用に向けたAgイオンメモリセルアレイ実証 ○市原玲華・藤井章輔・今野拓也・山口まりな・関 春海・田中洋毅・趙 丹丹・吉村瑶子・齋藤真澄・小山正人（東芝メモリ）  SDM2019-50 ICD2019-15 |
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| 抄録 | （和） | テラビットクラスの大容量応用に有望なAgイオンメモリセルを開発し、クロスポイントアレイ動作を実証した。母材SiO2中に大きくかつ高密度なAgクラスターからなる不連続な伝導パスを形成することにより、室温で10年を超える保持時間、サブuAの動作電流、及び高い電流非線形性を実現した。このセルをクロスポイントアレイに適用し、安定なアレイ動作の成立要件を満たす急峻な読出特性分布を実証することに初めて成功した |
| （英） | We demonstrated a cross-point memory array composed of Ag ionic memory cell with sub-μA and selectorless operation and 10-year data retention, making it a promising candidate for terabit-scale high-density memory application. Discontinuous conductive path with large and dense Ag clusters enabled 10-year retention even at sub-μA current with keeping high non-linearity in I-V. We implemented, for the first time, the improved cell into a cross-point array and demonstrated narrow read distribution which satisfies requirements for reliable array operation. | |
| キーワード | （和） | イオンメモリ / クロスポイント / 銀 / リテンション / 非線形性 / / / |
| （英） | ionic memory / cross-point / Ag / retention / non-linearity / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-50, pp. 85-88, 2019年8月. | |
| 資料番号 | SDM2019-50 | |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-50 ICD2019-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2019-08-07 - 2019-08-09 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報科学院 3F A31 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | テラビット大容量応用に向けたAgイオンメモリセルアレイ実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Demonstration of Ag Ionic Memory Cell Array for Terabit-Scale High-Density Application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオンメモリ / ionic memory |
| キーワード(2)（和/英） | クロスポイント / cross-point |
| キーワード(3)（和/英） | 銀 / Ag |
| キーワード(4)（和/英） | リテンション / retention |
| キーワード(5)（和/英） | 非線形性 / non-linearity |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市原 玲華 / Reika Ichihara / イチハラ レイカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 章輔 / Shosuke Fujii / フジイ ショウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今野 拓也 / Takuya Konno / コンノ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 まりな / Marina Yamaguchi / ヤマグチ マリナ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関 春海 / Harumi Seki / セキ ハルミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 洋毅 / Hiroki Tanaka / タナカ ヒロキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 趙 丹丹 / Dandan Zhao / チョウ ダンダン |
| 第7著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉村 瑶子 / Yoko Yoshimura / ヨシムラ ヨウコ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 正人 / Masato Koyama / コヤマ マサト |
| 第10著者 所属（和/英） | 東芝メモリ株式会社 (略称： 東芝メモリ) Toshiba Memory Corporation (略称： TMC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-08-09 13:25:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-50, ICD2019-15 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.161(SDM), no.162(ICD) |
| ページ範囲 | pp.85-88 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) |
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